公开(公告)号：CN104283297A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410315459.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 藤森司 ,  后藤康 ,  仓田英明 ,  鹰野秀明

IPC: H02J7/34

CPC classification number: H02J7/345 ,  H02J7/0013 ,  H02J7/0054 ,  H02J7/0055 ,  H02J7/0063 ,  H02J7/007 ,  H02J7/35 ,  H02J2007/0067 ,  H02J7/34

Abstract: 本发明提供一种独立电源系统，即使在发电元件的发电量较小的情况下，也在短时间内启动发电控制电路，在短时间内向负载装置供给电力。独立电源系统(1)具备：发电控制电路(4)，其控制发电元件(2)的发电效率；蓄电元件群(C1～C6)，其充电通过发电元件(2)发生的电力；充电控制电路(5)，其控制蓄电元件群的充电动作和放电动作。蓄电元件群具有向发电控制电路(4)和充电控制电路(5)供给电力的一次蓄电元件(C1)和向负载装置(10)供给电力的二次蓄电元件(C2～C5)。将通过发电元件(2)发生的电力优先对一次蓄电元件(C1)充电后，从一次蓄电元件对二次蓄电元件充电。一次蓄电元件的电容值小于二次蓄电元件的电容值。

公开(公告)号：CN104283297B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410315459.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 藤森司 ,  后藤康 ,  仓田英明 ,  鹰野秀明

IPC: H02J7/34

CPC classification number: H02J7/345 ,  H02J7/0013 ,  H02J7/0054 ,  H02J7/0055 ,  H02J7/0063 ,  H02J7/007 ,  H02J7/35 ,  H02J2007/0067

Abstract: 本发明提供一种独立电源系统，即使在发电元件的发电量较小的情况下，也在短时间内启动发电控制电路，在短时间内向负载装置供给电力。独立电源系统(1)具备：发电控制电路(4)，其控制发电元件(2)的发电效率；蓄电元件群(C1～C6)，其充电通过发电元件(2)发生的电力；充电控制电路(5)，其控制蓄电元件群的充电动作和放电动作。蓄电元件群具有向发电控制电路(4)和充电控制电路(5)供给电力的一次蓄电元件(C1)和向负载装置(10)供给电力的二次蓄电元件(C2～C5)。将通过发电元件(2)发生的电力优先对一次蓄电元件(C1)充电后，从一次蓄电元件对二次蓄电元件充电。一次蓄电元件的电容值小于二次蓄电元件的电容值。

公开(公告)号：CN100369253C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN00120253.7

申请日：2000-07-14

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 小林孝 ,  仓田英明 ,  小林直树 ,  久米均 ,  木村胜高 ,  佐伯俊一

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0425 ,  H01L27/115

Abstract: 一种实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有：具备多个存储单元，该多个存储单元分别具有：在第1方向上延伸的一条字线；形成在半导体衬底上、且与上述字线交叉，并且具有在写入动作之际使热电子发生的第1功能和使上述半导体衬底表面的沟道截止的第2功能的多个辅助栅极；以及连接到上述字线、且通过由上述辅助栅极发生的热电子来进行电子注入的浮置栅极，其中，在向多个上述浮置栅极的电子注入之际，与上述字线交叉的上述辅助栅极之中第奇数个辅助栅极具有上述第1功能，第偶数个辅助栅极具有第2功能。

公开(公告)号：CN1281258A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00120253.7

申请日：2000-07-14

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 小林孝 ,  仓田英明 ,  小林直树 ,  久米均 ,  木村胜高 ,  佐伯俊一

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0425 ,  H01L27/115

Abstract: 实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有:衬底中的阱101;阱中的源极/漏极扩散层;在衬底上通过绝缘膜形成的浮置栅极;和浮置栅极之间存在着绝缘膜而形成的控制栅极;连接上述控制栅极的字线;和上述半导体衬底、浮置栅极、控制栅极之间存在着绝缘膜而形成、且与辅助栅极和控制栅极不同的第3栅极,被形成为埋入到位于与字线和沟道垂直的方向上的浮置栅极的间隙内。