公开(公告)号：CN115692255A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210898031.8

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  岩田敬次 ,  藤井大树 ,  枝光建治 ,  川井侑哉 ,  伊藤健一

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。在第一减压工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中，将混合气体(K)供给至腔室(3)内的基板(W)，腔室(3)的内部从经减压的状态(D)被加压至常压状态(J)。混合气体(K)包含有机溶剂与惰性气体。第一常压工序是在第一加压工序之后执行。在第一常压工序中，腔室(3)的内部保持为常压状态(J)，进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。

公开(公告)号：CN115692173A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210898032.2

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  枝光建治 ,  藤井大树 ,  岩田敬次 ,  伊藤健一 ,  川井侑哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。在第一气体处理工序中，在腔室(3)的内部经减压的状态(D)下，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将疏水剂(H)供给至腔室(3)内的基板(W)。散布工序是在疏水处理工序之后执行。在散布工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一液(L1)散布至腔室(3)内的基板(W)。第一液(L1)包含有机溶剂的液体。

公开(公告)号：CN117219537A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310682656.5

申请日：2023-06-09

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  岩田敬次 ,  西野阳祐 ,  枝光建治 ,  川井侑哉 ,  合田和树 ,  藤井大树

IPC: H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H10K59/12 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够防止颗粒的附着。基板处理装置具备：处理槽；腔室，其包围处理槽；溶剂蒸气喷嘴，其设置在腔室内，且配置在比处理槽高的位置；排气泵，其配置在比处理槽的上表面低的位置，从排气口对腔室内进行排气；基板保持部，其具有保持以隔开预定间隔且以铅垂姿势对置的方式排成一列配置的多个基板的保持部件以及对保持部件的基端部进行支撑的背板，能够在腔室内且遍及处理槽内的位置和处理槽的上方的位置而移动；遮蔽板，其在基板保持部位于处理槽的上方的位置的状态下，设置在多个基板中的最远离背板的前端基板与保持部件的前端部侧所对置的腔室的侧壁之间。

公开(公告)号：CN117160955A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310647054.6

申请日：2023-06-02

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  秋山刚志 ,  藤井大树 ,  枝光建治

IPC: B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B13/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液；腔室，其包围处理槽；溶剂蒸气喷嘴，其向腔室内供给溶剂蒸气；清洗液喷嘴，其向腔室内供给清洗液；以及控制部。控制部在预先设定的期间进行浸渍处理和干燥处理，该浸渍处理使基板浸渍在贮存于处理槽的处理液中，该干燥处理使用从溶剂蒸气喷嘴供给的溶剂蒸气，使在处理液中被处理并被从处理槽提起的基板干燥。控制部从清洗液喷嘴向腔室内供给清洗液，并使处理槽浸渍在贮存于腔室的清洗液中，从而进行对包括处理槽的外壁的腔室内进行清洗的腔室清洗处理。

公开(公告)号：CN116114049A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202180058516.X

申请日：2021-06-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 江本哲也 ,  山本滋 ,  藤井大树 ,  枝光建治 ,  岩田敬次 ,  川井侑哉 ,  伊藤健一

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供一种基板处理方法。基板处理方法包括：对基板(W)供给拒水剂(SMT)的工序(S7)；在供给拒水剂(SMT)后，对基板(W)供给稀释异丙醇(dIPA)的工序(S11)，所述稀释异丙醇是经过稀释的异丙醇；以及在供给稀释异丙醇(dIPA)后，使基板(W)干燥的工序(S12)。

公开(公告)号：CN114695077A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111585021.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  藤井大树 ,  岩田敬次 ,  枝光建治 ,  川井侑哉 ,  伊藤健一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制形成基板的图案的崩坏。基板处理方法包括：淋洗工序，利用淋洗液(L2)来处理基板(W)；浸渍工序，在淋洗工序之后，将基板(W)浸渍于贮存在处理槽(230)中的经稀释化的异丙醇(dIPA)；第一异丙醇处理工序，在浸渍工序之后，利用异丙醇来处理基板(W)；以及疏水处理工序，在第一异丙醇处理工序之后，对基板(W)进行疏水处理。

公开(公告)号：CN114068354A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110849761.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 山本滋 ,  藤井大树 ,  枝光建治 ,  岩田敬次 ,  川井侑哉 ,  伊藤健一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种能够提高基板的清洁度的基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包含将被稀释化的异丙醇即稀释异丙醇(dIPA)储存在处理槽(3)中的工序(S14)，以及将经憎水化处理的基板(W)浸渍在处理槽(3)内的稀释异丙醇(dIPA)中的浸渍工序(S15)。