用于EUV的多层反射镜、其波前光行差校正法及包含它的EUV光学系统

    公开(公告)号:CN1350185A

    公开(公告)日:2002-05-22

    申请号:CN01135499.2

    申请日:2001-10-22

    Abstract: 用于“远紫外线”(“软X射线”或”EUV”)光学系统的多层镜。每个多层镜包括多个交替叠放的第一种材料和第二种材料的层。第一种材料的折射率近似于真空,第二种材料的折射率完全不同于第一种材料的,以提供反射镜对EUV辐射的反射。从表面反射的EUV光的波前轮廓通过去除(”加工”)这个叠层的选定区域的至少一个表面层而得到校正。加工区域具有平滑的梯度边缘,而不是不连贯的边缘。该叠层可包括第一和第二层组,这使得加工的单元可以非常小,这样增加了精度,从而可进行波前光行差的校正。还公开了用于测定反射镜的反射波前轮廓的各种波长技术。镜表面可包括具有高透明性耐蚀材料构成的覆盖层。

    曝光装置以及曝光方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101015038A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200580028236.5

    申请日:2005-11-07

    Abstract: 一种曝光装置以及曝光方法,使靶材料等离子化,并产生脉冲光,以脉冲光进行曝光。本发明的特点是包括:发光机构,使间歇性供应的靶材料等离子化而产生脉冲光;标线片载物台,具备照射脉冲光的标线片;感应基板载物台,配置有照射于标线片经过图案化的脉冲光的感应基板;控制机构,在开始对感应基板上进行曝光前,依据感应基板载物台的驱动时序及脉冲光的发光时序,使曝光开始点或者曝光结束点与发光时序一致的方式,控制感应基板载物台。本发明即使在曝光用光源中,使用使靶材料等离子化而产生的脉冲光的情形时,也能获得良好的曝光量均一性。

    曝光装置以及曝光方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100508120C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200580028236.5

    申请日:2005-11-07

    Abstract: 一种曝光装置以及曝光方法,使靶材料等离子化,并产生脉冲光,以脉冲光进行曝光。本发明的特点是包括:发光机构,使间歇性供应的靶材料等离子化而产生脉冲光;标线片载物台,具备照射脉冲光的标线片;感应基板载物台,配置有照射于标线片经过图案化的脉冲光的感应基板;控制机构,在开始对感应基板上进行曝光前,依据感应基板载物台的驱动时序及脉冲光的发光时序,使曝光开始点或者曝光结束点与发光时序一致的方式,控制感应基板载物台。本发明即使在曝光用光源中,使用使靶材料等离子化而产生的脉冲光的情形时,也能获得良好的曝光量均一性。

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