公开(公告)号：CN109496202B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201780046479.4

申请日：2017-07-20

Applicant: 国立大学法人熊本大学 ,  株式会社尼康

Inventor： 浪平隆男 ,  西康孝 ,  中积诚 ,  岩堀恒一郎

IPC: C01G19/00 ,  B22F1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种具有通用性的纳米颗粒集合体。一种纳米颗粒集合体，其由平均一次粒径为60nm以下的纳米颗粒构成，其直径超过500nm且为5μm以下。

公开(公告)号：CN103080003B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180039247.9

申请日：2011-11-04

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 岩堀恒一郎

IPC: C01B31/02 ,  B29C33/38 ,  C03B11/00 ,  C23C14/06 ,  B29L11/00

CPC classification number: C30B29/02 ,  B29C33/56 ,  B29K2907/04 ,  B29L2011/00 ,  C01B32/05 ,  C03B11/086 ,  C03B2215/24 ,  C03B2215/31 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/46 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明是关于碳薄膜、光学元件成形用模具及光学元件的制造方法。ta?C薄膜(1A)是在基材(10)上依序层叠第1单位构造(11)及第2单位构造(12)而形成。所述第1单位构造(11)，是在第1层(11a)及第2层(11b)中sp3键的含量互不相同，且在第2层(11b)及第3层(11c)中sp3键的含量互不相同。所述第2单位构造(12)，是在第1层(12a)及第2层(12b)中sp3键的含量互不相同，且在第2层(12b)及第3层(12c)中sp3键的含量互不相同。

公开(公告)号：CN102449187A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023865.X

申请日：2010-06-02

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 岩堀恒一郎 ,  中积诚

IPC: C23C14/34 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/086

Abstract: 本发明提供一种被膜形成物的制造方法，该制造方法是利用溅射法将含有靶的构成元素的被膜形成于基板的表面上而制造被膜形成物的方法，其中，将所述靶和所述基板的距离d设定为所述构成元素在溅射气体中的平均自由行程的0.5倍至1.5倍的范围。

公开(公告)号：CN108778527B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN201780016625.9

申请日：2017-03-07

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 奈良圭 ,  西康孝 ,  中积诚 ,  岩堀恒一郎 ,  山田研太郎 ,  铃木涼子

IPC: B05B17/06 ,  B05D1/02 ,  B05D1/06 ,  B05D1/32 ,  B05D3/10 ,  B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  G03F7/20 ,  H01B13/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的雾气产生装置(MG1)包含：容器(30a)，其保持包含微粒子(NP)的分散液(DIL)；第1振动部(32a)，其通过对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予第1频率的振动，而抑制微粒子(NP)于分散液(DIL)中的凝集；以及第2振动部(34a)，其对容器(30a)内的分散液(DIL)赋予高于第1频率、且用以自分散液(DIL)的表面产生包含微粒子(NP)的雾气(MT)的第2频率的振动。

公开(公告)号：CN105026606A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012651.0

申请日：2014-04-28

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 岸梅工 ,  岩堀恒一郎

IPC: C23C14/06 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/0676 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/325 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种控制化合物膜中氮含量的化合物膜的制造方法，该化合物膜的制造方法中，在载置于成膜室的基板上形成层叠的覆膜，其中，在基板上交替层叠第1化合物层和第2化合物层，所述第1化合物层含有选自金属元素和半金属元素中的1种以上的元素和氧元素，其利用过滤电弧离子镀法形成，所述第2化合物层含有所述1种以上的元素和氮元素，其利用溅射法形成。

公开(公告)号：CN103080003A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180039247.9

申请日：2011-11-04

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 岩堀恒一郎

IPC: C01B31/02 ,  B29C33/38 ,  C03B11/00 ,  C23C14/06 ,  B29L11/00

CPC classification number: C30B29/02 ,  B29C33/56 ,  B29K2907/04 ,  B29L2011/00 ,  C01B32/05 ,  C03B11/086 ,  C03B2215/24 ,  C03B2215/31 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/46 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明是关于碳薄膜、光学元件成形用模具及光学元件的制造方法。ta-C薄膜(1A)是在基材(10)上依序层叠第1单位构造(11)及第2单位构造(12)而形成。所述第1单位构造(11)，是在第1层(11a)及第2层(11b)中sp3键的含量互不相同，且在第2层(11b)及第3层(11c)中sp3键的含量互不相同。所述第2单位构造(12)，是在第1层(12a)及第2层(12b)中sp3键的含量互不相同，且在第2层(12b)及第3层(12c)中sp3键的含量互不相同。