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公开(公告)号：CN103889087A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310708350.9
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L27/3211 , H01L27/3246
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。
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公开(公告)号：CN104037195B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201410083251.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3246 , H01L33/58 , H01L51/5044
Abstract: 本发明抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；形成在所述绝缘层上的第一下部电极421a；形成在所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的结构物419；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第一下部电极之间的第一隔壁418a；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第二下部电极之间的第二隔壁418b；形成在所述第一下部电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁及所述第二下部电极上的第一发光单元423a；形成在所述第一发光单元上的中间层424；形成在所述中间层上的第二发光单元423b；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极422。
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公开(公告)号：CN103889087B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201310708350.9
申请日：2013-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L27/3211 , H01L27/3246
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明提供一种发光装置，包括：绝缘层（416）；形成在所述绝缘层上的第一下部电极（421B）；形成在所述绝缘层上的第二下部电极（421G）；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁（418）；形成在所述第一下部电极、所述隔壁以及所述第二下部电极上的第一发光单元（423a）；形成在所述第一发光单元上的中间层（424a、424b）；形成在所述中间层上的第二发光单元（423b）；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极（422），其中，所述隔壁具有第一凹部（418a）。
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公开(公告)号：CN104037195A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410083251.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3246 , H01L33/58 , H01L51/5044
Abstract: 本发明抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；形成在所述绝缘层上的第一下部电极421a；形成在所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的结构物419；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第一下部电极之间的第一隔壁418a；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第二下部电极之间的第二隔壁418b；形成在所述第一下部电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁及所述第二下部电极上的第一发光单元423a；形成在所述第一发光单元上的中间层424；形成在所述中间层上的第二发光单元423b；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极422。
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公开(公告)号：CN114080610A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080049396.2
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F40/211 , G06F40/284 , G06K9/62 , G06F40/189 , G06F16/33
Abstract: 提供一种阅读支援系统或阅读支援方法，该阅读支援系统或阅读支援方法能够作为查询文本输入自然语言且将与所输入的文本的相关度高的部分提示到读者。该阅读支援系统包括：读取对象文件的文件读取部；将对象文件分割成多个块的文件分割部；按多个块的每一个取得单词的分布式表示的第一分布式表示取得部；读取查询文本的查询文本读取部；抽出包括在查询文本中的单词而取得单词的分布式表示的第二分布式表示取得部；以及对查询文本和多个块的每一个中的单词的分布式表示进行比较而求出相似度的相似度取得部。相似度取得部从包括在块中的单词检索与包括在查询文本中的单词一致的单词而求出所一致的单词的块中的单词的分布式表示与查询文本中的单词的分布式表示的相似度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111051876A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种谁都能够简单并以高精确度预测未知的有机化合物的物性的物性预测方法。此外，提供一种谁都能够简单并以高精确度预测有机化合物的物性的物性预测系统。提供一种有机化合物的物性预测方法，该物性预测方法包括学习有机化合物的分子结构与物性的相关的阶段及基于该学习结果从目的物质的分子结构预测目的物性值的阶段，并且作为上述有机化合物的分子结构的表现方法同时使用多种指纹印迹法。
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公开(公告)号：CN101950732A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010167008.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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公开(公告)号：CN100561723C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610087707.6
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/488 , H01L27/12 , H01L21/60 , H01L21/84 , G06K19/077
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/49855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括晶体管、形成在晶体管上的绝缘层、通过形成在绝缘层中的开口部与晶体管的源极区域或漏极区域电连接的第一导电层(相当于源极布线或漏极布线)、形成在绝缘层和第一导电层上的第一树脂层、通过形成在第一树脂层中的开口部与第一导电层电连接的含有导电粒子的层、以及设置有第二树脂层和用作天线的第二导电层的衬底。在具有上述结构的半导体器件中，第二导电层与第一导电层电连接，其中间夹有含有导电粒子的层。此外，第二树脂层形成在第一树脂层上。
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公开(公告)号：CN100474629C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580028239.9
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n-型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p-型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。
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公开(公告)号：CN1734750A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091376.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/13 , H01L27/28 , H01L29/78603 , H01L2924/3511
Abstract: 对于使用硅晶片形成的IC芯片的应用形式和需求有望增加，需要进一步地减小成本。本发明的目的是提供一种能以更低成本生产的IC芯片的结构和工艺。本发明的一个特征是使用金属膜和具有金属膜的反应物作为分离层。金属膜或具有金属的反应物的蚀刻速率高，且在本发明中除了使用蚀刻金属膜或具有金属的反应物的化学方法之外，还可以使用物理方法。由此，IDF芯片可以在短时间内简单且容易地制造。
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