公开(公告)号：CN108447775A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810285306.4

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN102754022A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180010369.5

申请日：2011-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  小山润 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3622 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。

公开(公告)号：CN115332053A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211007125.8

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开涉及薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置。本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN108447775B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201810285306.4

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/477 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN104733515B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510170872.7

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN107045235A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610889237.9

申请日：2011-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  小山润 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3622 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明题为“液晶显示装置”。本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。

公开(公告)号：CN102754022B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180010369.5

申请日：2011-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  小山润 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G3/3622 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管，作为设置在各像素（100）中的晶体管（105）。注意，该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体（供体）的杂质（氢或水等）得到高纯度化的氧化物半导体层。由此，可以降低晶体管（105）处于截止状态时的泄漏电流（截止状态电流）的量。因此，可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外，与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此，可以去除信号线（103）与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。

公开(公告)号：CN104733515A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510170872.7

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN101814529B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010116532.3

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

公开(公告)号：CN101814529A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010116532.3

申请日：2010-02-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今藤敏和 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。