公开(公告)号：CN110938238B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201911126702.3

申请日：2019-11-18

Applicant: 株式会社亚都玛科技

Inventor： 渡边友祐 ,  富田亘孝 ,  加藤义明

IPC: C08K9/06 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明应解决的课题在于提供一种通过减少除物理吸附水以外含有的水分量而能够制造电特性优异的电子材料用填料的制造方法。该制造方法具有如下工序：制备工序，制备利用干式法制造的二氧化硅粒子材料，以及第1表面处理工序，利用具有乙烯基、苯基、苯基氨基、碳原子数4以上的烷基、甲基丙烯酸基或环氧基的硅烷化合物对上述二氧化硅粒子材料进行表面处理而制成第1表面处理过的粒子材料；上述二氧化硅粒子材料在利用干式法被制造后，不与液态的水接触，且粒径为100nm～600nm或者比表面积为5m2/g～35m2/g。通过使用利用干式法制造的二氧化硅粒子材料且在其后的工序中也不与水接触，从而能够减少构成电子材料用填料的二氧化硅粒子材料中含有的水分量，因此能够提高Df值等电特性。

公开(公告)号：CN110938238A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911126702.3

申请日：2019-11-18

Applicant: 株式会社亚都玛科技

Inventor： 渡边友祐 ,  富田亘孝 ,  加藤义明

IPC: C08K9/06 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明应解决的课题在于提供一种通过减少除物理吸附水以外含有的水分量而能够制造电特性优异的电子材料用填料的制造方法。该制造方法具有如下工序：制备工序，制备利用干式法制造的二氧化硅粒子材料，以及第1表面处理工序，利用具有乙烯基、苯基、苯基氨基、碳原子数4以上的烷基、甲基丙烯酸基或环氧基的硅烷化合物对上述二氧化硅粒子材料进行表面处理而制成第1表面处理过的粒子材料；上述二氧化硅粒子材料在利用干式法被制造后，不与液态的水接触，且粒径为100nm～600nm或者比表面积为5m2/g～35m2/g。通过使用利用干式法制造的二氧化硅粒子材料且在其后的工序中也不与水接触，从而能够减少构成电子材料用填料的二氧化硅粒子材料中含有的水分量，因此能够提高Df值等电特性。