公开(公告)号：CN105977250A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510555757.1

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鬼泽岳 ,  高田贤治

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L22/34 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够判定龟裂有无的半导体装置。实施方式的半导体装置(1)包含：衬底(30)；第1化合物半导体层(32)，设于衬底(30)上；第2化合物半导体层(33)，设于第1化合物半导体层(32)上，且带隙比第1化合物半导体层(32)大；元件分离区域(21)，设于第1化合物半导体层(32)及第2化合物半导体层(33)内；导电区域(23)，包含配置在比元件分离区域(21)更外侧的第1及第2化合物半导体层(32、33)；以及第1及第2电极垫(24)，电连接于导电区域(23)。

公开(公告)号：CN106531735A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610137999.3

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鬼泽岳

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L21/78 ,  H01L23/535 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制在半导体芯片的端部流动的泄漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：p型半导体衬底，具有第一面、第二面及端面，且具有设置在第一面与端面的角部的n型区域；氮化物半导体层，设置在第一面上；及电极，设置在氮化物半导体层上。

公开(公告)号：CN105826252A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510553389.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  高田贤治 ,  鬼泽岳 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3157 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的实施形态提供一种能够抑制不良的发生的半导体装置及其制造方法。实施形态的半导体装置(10)包含：衬底(30)；氮化物半导体层(31)，其设置在衬底(30)上；以及保护层(51)，其覆盖氮化物半导体层(31)的侧面，且包含碳。