公开(公告)号：CN107195622A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610808379.8

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早濑茂昭 ,  松山宏

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0629 ,  H01L25/072 ,  H01L23/48

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有基板、第1导电层、第2导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第1金属部件、第2金属部件、以及金属板。第1半导体芯片以及第2半导体芯片设置在第1导电层上。第1金属部件经由第1连接部设置在第1半导体芯片上。第2金属部件经由第2连接部设置在第2半导体芯片上。金属板具有经由第3连接部设置在第1金属部件上的部分、以及经由第4连接部设置在第2金属部件上的部分。金属板与第1金属部件、第2金属部件、以及第2导电层连接。

公开(公告)号：CN110875265A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910160069.3

申请日：2019-03-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 早濑茂昭

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/46 ,  H02M1/00

Abstract: 实施方式涉及半导体装置以及电力转换器。实施方式的半导体装置具备第一电极板、与所述第一电极板对置地配置的第二电极板、以及配置于所述第一电极板与所述第二电极板之间的半导体芯片。所述第一电极板以及所述第二电极板的至少某一方包含使冷却介质循环的空间。

公开(公告)号：CN116845046A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210780983.X

申请日：2022-07-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井上绘美子 ,  岸田基也 ,  早濑茂昭 ,  前多和诗

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

Abstract: 实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在所述元件区域上和所述末端区域上。第一绝缘膜在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置在所述导电膜上。所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。

公开(公告)号：CN114823884A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110798618.7

申请日：2021-07-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 下条亮平 ,  南川阳代 ,  早濑茂昭

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 实施方式的半导体装置具备半导体部、第一、第二电极、控制电极以及控制布线。所述半导体部包括第一～第六层。所述半导体部设于所述第一以及第二电极之间。所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，所述第三层设于所述第二层与所述第二电极之间。所述第四层以及所述第五层在所述第一层与所述第一电极之间排列。所述控制电极以及所述控制布线在所述半导体部上排列。所述控制电极设于所述第二电极与所述半导体部之间。所述第六层设于所述第一层与所述控制布线之间，所述第五层位于所述第一电极与所述第六层之间。所述第一层在所述第五层与所述第六层之间包含载流子陷阱。

公开(公告)号：CN118553760A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310661307.5

申请日：2023-06-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 前多和诗 ,  下条亮平 ,  早濑茂昭

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/58

Abstract: 半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和包围它的末端区域，且具有第一导电型的第一半导体部、在元件区域中位于第一半导体部上的第二导电型的第二半导体部和在末端区域中位于第一半导体部上的第一导电型的第三半导体部；第一电极，设于第二半导体部上；第二电极，设于第三半导体部上；半绝缘膜，设于半导体层的末端区域上，与第一电极及第二电极相接；绝缘膜，设于半导体层与半绝缘膜之间；以及绝缘性的保护膜。绝缘膜具有：内周部，设于第一电极中的位于末端区域侧的端部与第二半导体部中的位于末端区域侧的端部之间；外周部，设于第二电极与半导体层之间；以及中间部，设于内周部与外周部之间。中间部的厚度比内周部的厚度及外周部的厚度薄。