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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114823884A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110798618.7

申请日：2021-07-15

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 下条亮平 , 南川阳代 , 早濑茂昭

IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331

Abstract: 实施方式的半导体装置具备半导体部、第一、第二电极、控制电极以及控制布线。所述半导体部包括第一～第六层。所述半导体部设于所述第一以及第二电极之间。所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，所述第三层设于所述第二层与所述第二电极之间。所述第四层以及所述第五层在所述第一层与所述第一电极之间排列。所述控制电极以及所述控制布线在所述半导体部上排列。所述控制电极设于所述第二电极与所述半导体部之间。所述第六层设于所述第一层与所述控制布线之间，所述第五层位于所述第一电极与所述第六层之间。所述第一层在所述第五层与所述第六层之间包含载流子陷阱。

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