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公开(公告)号：CN104934512A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510313500.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有细线部和焊盘部：上述细线部设置于上述第二接触层之上，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN104934512B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510313500.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有细线部和焊盘部：上述细线部设置于上述第二接触层之上，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468386B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110070619.6
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，发光元件包括发光层、覆层、电流扩散层、第二层以及电极。发光层能够发射出发射光。电流扩散层包括表面处理层和第一层。表面处理层具有包括凸起部分和与凸起部分相邻布置的底部部分的表面。第一层被设置于表面处理层和覆层之间。第二层被设置于表面处理层和覆层之间，并且包括具有的杂质浓度高于电流扩散层的杂质浓度的区域。电极被设置于表面处理层的没有提供凸起部分和底部部分的表面区域上。
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公开(公告)号：CN102760815B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110265519.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN102468386A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110070619.6
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，发光元件包括发光层、覆层、电流扩散层、第二层以及电极。发光层能够发射出发射光。电流扩散层包括表面处理层和第一层。表面处理层具有包括凸起部分和与凸起部分相邻布置的底部部分的表面。第一层被设置于表面处理层和覆层之间。第二层被设置于表面处理层和覆层之间，并且包括具有的杂质浓度高于电流扩散层的杂质浓度的区域。电极被设置于表面处理层的没有提供凸起部分和底部部分的表面区域上。
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公开(公告)号：CN105990190A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510553387.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67011
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制了温度分布的不均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：盖部；气体导入部，设置在所述盖部；以及簇射板，通过与所述盖部的接合而形成能够收容从所述气体导入部所导入的气体的空间，且具有底部及包围所述底部的外框部，且在所述底部设置有多个喷射口、第1冷却路径及第2冷却路径，所述多个喷射口喷射所述气体，所述第1冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于所述底部的中心部，所述第2冷却路径在所述多个喷射口与所述盖部之间配置于包围所述中心部的所述底部的外周部且与所述第1冷却路径不连接。
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公开(公告)号：CN102760815A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110265519.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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