存储器管理装置及存储器管理方法

    公开(公告)号:CN102667736B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201180004861.1

    申请日:2011-01-18

    Abstract: 在实施方式中,存储器管理装置(201)具备地址产生部(16)、顺序产生部(17)、写入控制部(18)。地址产生部(16)在从处理器(2)向非易失性半导体存储器(3)写入的数据是通常数据的情况下,以使已产生的地址所表示的位置与通常数据的写入位置不重叠的方式产生第一写入地址,在写入的数据是顺序数据的情况下,产生表示用于将顺序数据按顺序存放的写入位置的第二写入地址。顺序产生部(17)产生表示所产生的写入的先后的顺序信息。写入控制部(18)在产生了第一写入地址的情况下,对第一写入地址,与所产生的顺序信息建立对应地写入通常数据,在产生了第二写入地址的情况下,对第二写入地址,按顺序写入顺序数据。

    存储系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106133635A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201580014663.1

    申请日:2015-01-05

    Abstract: 根据一实施例,提供一种存储系统,其包含供电端子、多个耦合器及控制单元。所述供电端子是用于连接至主机的供电线的端子。所述多个耦合器是用于分别电磁耦合至所述主机的耦合器的耦合器。所述控制单元能够根据自所述主机经由所述供电线及所述供电端子供应的供电电压的电平而在所述存储系统与所述主机之间经由所述多个耦合器建立彼此独立的接收通道及传输通道。

    存储器装置、电子装置以及主机设备

    公开(公告)号:CN101689246A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880021066.1

    申请日:2008-06-19

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F9/4401

    Abstract: 本发明涉及存储器装置、电子装置以及主机设备。一种存储器装置(11)包括半导体存储器(11c)和控制器(11a)。半导体存储器(11c)包括第一存储区域(11c1)和第二存储区域(11c2)。控制器(11a)控制半导体存储器(11c)。存储器装置(11)能够具有可访问第一存储区域(11c1)的第一状态和可从第二存储区域(11c2)读取数据的第二状态。控制器(11a)被配置为识别第一命令、第二命令和第三命令。第一命令在存储器装置开启之后将存储器装置(11)转换为第一状态。第二命令将存储器装置(11)从第一状态转换为第二状态。第三命令在存储器装置开启之后将存储器装置(11)转换为第二状态而不经过第一状态。

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