公开(公告)号：CN102473140A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031863.5

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国松敦 ,  宫川雅纪 ,  野末浩志 ,  河込和宏 ,  中井弘人 ,  坂本广幸 ,  大轮勤 ,  畦崎勉 ,  西野玲奈 ,  前田贤一 ,  高田真里

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC classification number: G06F3/0604 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0223 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/06 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/205 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7208

Abstract: 本发明的一个例子的存储器管理装置(1)根据来自处理器(6a)的写入请求及读出请求，控制对包含非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的主存储器(2)的写入及读出。存储器管理装置(1)具备：保持基于在非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的至少一方中写入的写入对象数据的数据特性而生成的着色信息(14)的着色信息保持部(17)，以及参照着色信息(14)从非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)中决定写入写入对象数据的区域的写入管理部(15)。

公开(公告)号：CN102411544A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110254701.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 畦崎勉 ,  远藤好幸

IPC: G06F12/10

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

Abstract: 本发明提供管理对于非易失性半导体存储器的存取的存储器管理装置及方法。根据一实施方式，存储器管理装置包括历史管理部、地址变换表、地址管理部、数据管理部。所述历史管理部管理对于存储于非易失性半导体存储器的数据的存取历史。所述地址变换表包含与所述数据相对应的逻辑地址与物理地址的变换表。所述地址管理部基于所述存取历史来确定在对于存储于所述非易失性半导体存储器的第一数据的存取之后被存取的第二数据，将对应于所述第二数据的第二物理地址与对应于所述第一数据的第一逻辑地址相对应地登记于所述地址变换表。所述数据管理部将所述第二数据从所述非易失性半导体存储器读取到缓冲器。

公开(公告)号：CN102473140B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080031863.5

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国松敦 ,  宫川雅纪 ,  野末浩志 ,  河込和宏 ,  中井弘人 ,  坂本广幸 ,  大轮勤 ,  畦崎勉 ,  西野玲奈 ,  前田贤一 ,  高田真里

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02

CPC classification number: G06F3/0604 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/0638 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0223 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/06 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/205 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7208

Abstract: 本发明的一个例子的存储器管理装置(1)根据来自处理器(6a)的写入请求及读出请求，控制对包含非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的主存储器(2)的写入及读出。存储器管理装置(1)具备：保持基于在非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)的至少一方中写入的写入对象数据的数据特性而生成的着色信息(14)的着色信息保持部(17)，以及参照着色信息(14)从非易失性半导体存储器(9)和易失性半导体存储器(8)中决定写入对象数据的区域的写入管理部(15)。

公开(公告)号：CN102436406A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110254533.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 畦崎勉 ,  大河原一树

IPC: G06F11/10

CPC classification number: G06F11/1012

Abstract: 本发明提供半导体装置及其数据存取方法。根据一实施方式，一种半导体装置包括：NAND型闪存、纠错部以及表。NAND型闪存作为主存储器而起作用，能够保存数据。纠错部对与所述数据有关的错误进行检测、纠正。表按每一所述数据，具有与所使用的纠错方式有关的信息。纠错部根据所述表内的所述信息，对每一所述数据选择所应用的纠错方式。