公开(公告)号：CN119695021A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410270745.3

申请日：2024-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南尚吾 ,  松尾圭一郎 ,  山本哲也

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/29

Abstract: 课题在于，提高半导体装置的耐久性。解决手段在于，半导体装置(100)具备：半导体元件(2)，载放在绝缘基板(1)上，在表面(2a)具有电极(21)；键合引线(3)，与电极(21)接合，对半导体元件(2)进行电连接；以及第1树脂材料(4)，覆盖电极(21)与键合引线(3)的接合部(31)。接合部(31)包括电极(21)与键合引线(3)未被接合的非接合区域(32)。

公开(公告)号：CN118841375A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410192061.6

申请日：2024-02-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南尚吾 ,  井口知洋 ,  佐藤克哉 ,  松尾圭一郎

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、半导体模块及半导体模块的制造方法。实施方式的半导体模块提供一种半导体装置，该半导体装置包含半导体元件、设置于所述半导体元件上的表面电极和连接于所述表面电极上的键合线，并具有：第1密封部件，设置为将所述表面电极和所述键合线的接合部覆盖；第2密封部件，设置为将所述表面电极中没有由所述第1密封部件密封的部分覆盖；以及第3密封部件，设置为将所述第1密封部件及所述第2密封部件覆盖。

公开(公告)号：CN118676070A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310732122.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口知洋 ,  平川达也 ,  南尚吾 ,  松尾浩幸 ,  小松出

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：基板；绝缘基板，设置在基板之上，具有第一金属层和第二金属层；半导体芯片，设置在第一金属层之上，包括上部电极、与第一金属层连接的下部电极和上部电极与下部电极之间的半导体层；接合线，具有第一端部和第二端部，第一端部与上部电极连接，第二端部与第二金属层连接；第一树脂层，将绝缘基板、半导体芯片以及接合线覆盖，包含第一树脂；第二树脂层，将第一端部与上部电极的接合部的至少一部分覆盖，包含具有比第一树脂的高的杨氏模量的第二树脂；第三树脂层，与第一树脂层相接地设置在第一树脂层之上，包含透湿度比第一树脂低的第三树脂；以及框体，具备将绝缘基板、第一树脂层以及第三树脂层包围。