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公开(公告)号：CN116798903A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210810754.8
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 井口知洋
Abstract: 实施方式主要涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：框体，具有壁面；绝缘基板，被框体包围，在表面具有第一金属层和第二金属层，第二金属层位于第一金属层与壁面之间；半导体芯片，包括电极，设置在第一金属层之上；以及接合线，具有：与电极连接的第一接合部、与第二金属层连接的第二接合部以及第一接合部与第二接合部之间的中间部，第二接合部伸长的第二方向与壁面所成的第二角度小于中间部伸长的第一方向与壁面所成的第一角度。
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公开(公告)号：CN112530915B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010091929.5
申请日：2020-02-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/15
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与第一面对置的第二面，并且具有设置在第一面与第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在第一半导体芯片与金属板之间，与第一面对置，在第一半导体芯片与第二面之间不存在第一陶瓷板。
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公开(公告)号：CN113451273A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010883332.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/49 , H01L25/07
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板，在表面具有第一金属层与第二金属层；半导体芯片，包含上部电极与下部电极，上部电极电连接于第一金属层，下部电极电连接于第二金属层；第一主端子，包含第一端部与第二端部，第一端部电连接于第一金属层；第二主端子，包含第三端部与第四端部，第三端部电连接于第二金属层；第一检测端子，电连接于第一主端子的第一端部与第二端部之间；以及第二检测端子，电连接于第一金属层。
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公开(公告)号：CN113451247A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010875372.4
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/488 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置具备半导体层、金属层及接合层，所述接合层设置于半导体层与金属层之间且包含多个银粒子和存在于多个银粒子之间的含有金的区域。
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公开(公告)号：CN112530915A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010091929.5
申请日：2020-02-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/14 , H01L23/15
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与第一面对置的第二面，并且具有设置在第一面与第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在第一半导体芯片与金属板之间，与第一面对置，在第一半导体芯片与第二面之间不存在第一陶瓷板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118676070A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310732122.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置，具备：基板；绝缘基板，设置在基板之上，具有第一金属层和第二金属层；半导体芯片，设置在第一金属层之上，包括上部电极、与第一金属层连接的下部电极和上部电极与下部电极之间的半导体层；接合线，具有第一端部和第二端部，第一端部与上部电极连接，第二端部与第二金属层连接；第一树脂层，将绝缘基板、半导体芯片以及接合线覆盖，包含第一树脂；第二树脂层，将第一端部与上部电极的接合部的至少一部分覆盖，包含具有比第一树脂的高的杨氏模量的第二树脂；第三树脂层，与第一树脂层相接地设置在第一树脂层之上，包含透湿度比第一树脂低的第三树脂；以及框体，具备将绝缘基板、第一树脂层以及第三树脂层包围。
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公开(公告)号：CN115831954A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111611876.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 提供可靠性提高的半导体装置，具备：第一金属层，在第一连接区域与第一主端子连接；第二金属层，在第二连接区域与第二主端子连接；第三金属层，与输出端子连接；多个第一半导体芯片，在第一方向上排列，包含第一上部电极、第一下部电极、第一栅极电极、第一肖特基势垒二极管，第一下部电极与第一金属层连接；多个第二半导体芯片，在第一方向上排列，包含第二上部电极、第二下部电极、第二栅极电极、第二肖特基势垒二极管，第二下部电极与第三金属层连接；第一连接线，连接第一上部电极和第三金属层；第二连接线，连接第二上部电极和第二金属层，第三方向与第一方向所成的角度、第一连接线及第二连接线的伸长方向与第二方向所成的角度为20度以下。
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公开(公告)号：CN113630113B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110198486.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 井口知洋
IPC: H03K17/687 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板；第一主端子；第二主端子；输出端子；第一金属层，与第一主端子连接；第二金属层，与第二主端子连接；第三金属层，位于第一金属层和第二金属层之间，与输出端子连接；第一半导体芯片及第二半导体芯片，设置于第一金属层之上；以及第三半导体芯片及第四半导体芯片，设置于第三金属层之上。并且，第二金属层包括第一狭缝。或者，第三金属层包括第二狭缝。
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公开(公告)号：CN113451273B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010883332.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/49 , H01L25/07
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板，在表面具有第一金属层与第二金属层；半导体芯片，包含上部电极与下部电极，上部电极电连接于第一金属层，下部电极电连接于第二金属层；第一主端子，包含第一端部与第二端部，第一端部电连接于第一金属层；第二主端子，包含第三端部与第四端部，第三端部电连接于第二金属层；第一检测端子，电连接于第一主端子的第一端部与第二端部之间；以及第二检测端子，电连接于第一金属层。
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公开(公告)号：CN113630113A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110198486.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 井口知洋
IPC: H03K17/687 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/498
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：绝缘基板；第一主端子；第二主端子；输出端子；第一金属层，与第一主端子连接；第二金属层，与第二主端子连接；第三金属层，位于第一金属层和第二金属层之间，与输出端子连接；第一半导体芯片及第二半导体芯片，设置于第一金属层之上；以及第三半导体芯片及第四半导体芯片，设置于第三金属层之上。并且，第二金属层包括第一狭缝。或者，第三金属层包括第二狭缝。
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