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公开(公告)号：CN117747639A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211664373.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设置于半导体层上；第一电极膜，设置于第一绝缘膜上；第二电极膜，设置于第一电极膜上；以及第一场板电极，设置于第二电极膜上，第一场板电极的下端相比于第一电极膜的与第一绝缘膜接触的第一面而位于第二电极膜侧的第二面。
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公开(公告)号：CN1395321A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02126593.3
申请日：2002-06-25
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种半导体发光元件，在衬底上形成包括发光层的半导体多层膜，从衬底相反侧的面取出光，在半导体多层膜的光取出面侧表面设置多个锥体状突起物，该突起物的侧面与光取出面的交叉角度α设定为30度以上、70度以下。
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公开(公告)号：CN117728655A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211642084.X
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一晶体管、包含第二晶体管的第一驱动电路、及包含第三晶体管的第二驱动电路。第二晶体管以及第三晶体管以串联的方式连接，其连接节点连接于第一晶体管的栅极电极。所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管是形成于包含GaN的第一基板的常关型的MOS型的HEMT。所述第一驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行充电。所述第二驱动电路对所述第一晶体管的寄生电容进行放电。
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公开(公告)号：CN117747655A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310175536.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管，氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一二极管包括与所述安装基座电连接的第一阳极电极和与所述第一主电极电连接的第一阴极电极，所述第二二极管包括与所述安装基座电连接的第二阳极电极和与所述第二主电极电连接的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN100483563C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN02106795.3
申请日：2002-02-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 一种冷凝器的安装施工方法，在以往的冷凝器安装施工中，由于受到临时起重机性能等的限制，会发生不能适应大型冷凝器现象。为此，本发明的目的在于与冷凝器的大型化无关，要求缩短安装施工作业的工期。其技术解决方案在于，在工厂等场所，将分成多个部分以便于组装的冷凝器的上部躯体上半模件1b等，在位于与汽轮机基座34邻接的维护空间35处引入的钢材36上作为冷凝器装配后，搬入到冷凝器安装位置以进行组装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118693143A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310717029.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、绝缘膜、以及位于栅极电极与漏极电极之间且与氮化物半导体层接触且与漏极电极电连接的导体层。漏极电极具有与氮化物半导体层接触的第一部分、和与第一部分相比位于导体层侧的第二部分。绝缘膜具有位于导体层与漏极电极之间的一部分。第二部分设置在绝缘膜的一部分上。
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公开(公告)号：CN118693142A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310715799.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置包含第一～第二半导体层、第一～第三电极、导电部和绝缘部。第二半导体层设于第一半导体层之上。第一电极设于第二半导体层之上。第一电极包含电极部和电极延伸部。电极延伸部从电极部的上端部向与从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向垂直的第二方向延伸。第二电极设于第二半导体层之上，在第二方向上与第一电极分离。导电部与第二半导体层的上表面相接，位于第一电极与第二电极之间且与第一电极接触。绝缘部设于导电部之上，位于导电部与电极延伸部之间。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，且位于第一电极与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN118693141A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310715794.9
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置和半导体模块。实施方式所涉及的半导体装置包括第一～第二半导体层、第一～第三电极、绝缘区域、导电层。第一半导体层包含氮化物半导体。第二半导体层设置于第一半导体层之上，包含氮化物半导体。第一电极设置于第二半导体层之上。第二电极设置于第二半导体层之上，与第一电极排列。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，位于第一电极与第二电极之间。绝缘区域设置于第二半导体层之上，在第一电极与第二电极之间与第一电极相邻。绝缘区域包括第一绝缘部分以及位于第一绝缘部分的上方的第二绝缘部分。导电层设置于第一绝缘部分与第二绝缘部分之间，与第一电极电连接。
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公开(公告)号：CN1374496A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN02106795.3
申请日：2002-02-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 一种冷凝器的安装施工方法,在以往的冷凝器安装施工中,由于受到临时起重机性能等的限制,会发生不能适应大型冷凝器现象。为此,本发明的目的在于与冷凝器的大型化无关,要求缩短安装施工作业的工期。其技术解决方案在于,在工厂等场所,将分成多个部分以便于组装的冷凝器的上部躯体上半模件1b等,在位于与汽轮机基座34邻接的维护空间35处引入的钢材36上作为冷凝器装配后,搬入到冷凝器安装位置以进行组装。
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公开(公告)号：CN116779667A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210811216.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778
Abstract: 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。
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