公开(公告)号：CN1395321A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02126593.3

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种半导体发光元件，在衬底上形成包括发光层的半导体多层膜，从衬底相反侧的面取出光，在半导体多层膜的光取出面侧表面设置多个锥体状突起物，该突起物的侧面与光取出面的交叉角度α设定为30度以上、70度以下。

公开(公告)号：CN100364124C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510055949.2

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

公开(公告)号：CN1652367A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510055949.2

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/18

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征在于包括：具有主面的衬底，在上述衬底的主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，以及在上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面侧设置的、进行了粗糙化加工使其表面具有多个凹凸形状的反射防止膜，上述反射防止膜的各凹凸的顶部与底部的距离(凹凸高度)设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下。

公开(公告)号：CN1201412C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02126593.3

申请日：2002-06-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉武春二 ,  关口秀树 ,  山下敦子 ,  滝本一浩 ,  高桥幸一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38

Abstract: 一种面发光型半导体发光元件，其特征是具有：具有主面的衬底，以及在上述衬底主面上形成的包括发光层的半导体多层膜，且进行粗糙面加工，使上述半导体多层膜的与上述衬底相反侧的光取出面具有多个凹凸形状，该粗糙面加工后的面上的各凹凸的顶部与底部的距离即凹凸高度设定为200nm以上、且在上述发光层的发光波长以下，上述由粗糙面加工得到的凹凸是周期性地形成的，在上述发光波长为λ时，凹凸的周期为0.5λ以下。