公开(公告)号：CN101521174A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910004430.X

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  中岛崇人

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  B05D1/00 ,  B05D3/10

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。

公开(公告)号：CN100529039C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN101521174B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910004430.X

申请日：2009-02-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤胜广 ,  中岛崇人

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  B05D1/00 ,  B05D3/10

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，通过将过氢化硅氮烷溶液涂布在硅基板上形成涂布膜，对涂布膜进行加热而使溶剂挥发，由此形成聚硅氮烷膜，通过对聚硅氮烷膜进行化学试剂处理来将聚硅氮烷膜转化为二氧化硅膜，所述过氢化硅氮烷溶液是将过氢化硅氮烷聚合物分散在含有碳的溶剂中而生成的。

公开(公告)号：CN1706925A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。