公开(公告)号：CN104517968A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410448439.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西谷和人 ,  佐藤胜广

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 根据一个实施方式，可提供一种非易失性半导体存储装置。多个元件分离用绝缘体在所述半导体基板的表面区域中形成沿着所述半导体基板的表面延伸的被划分的多个有源区。将隧道绝缘膜设在所述有源区上。将浮置栅电极设在所述隧道绝缘膜上。将栅间绝缘膜设在所述浮置栅电极上。将控制栅电极设在所述栅间绝缘膜上。源极区域及漏极区域分别在所述多个有源区上相互分离地形成。所述有源区各自在侧面具有台阶，比所述台阶深的部分的宽度大于比所述台阶浅的部分的宽度。

公开(公告)号：CN104517968B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410448439.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西谷和人 ,  佐藤胜广

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 根据一个实施方式，可提供一种非易失性半导体存储装置。多个元件分离用绝缘体在所述半导体基板的表面区域中形成沿着所述半导体基板的表面延伸的被划分的多个有源区。将隧道绝缘膜设在所述有源区上。将浮置栅电极设在所述隧道绝缘膜上。将栅间绝缘膜设在所述浮置栅电极上。将控制栅电极设在所述栅间绝缘膜上。源极区域及漏极区域分别在所述多个有源区上相互分离地形成。所述有源区各自在侧面具有台阶，比所述台阶深的部分的宽度大于比所述台阶浅的部分的宽度。