公开(公告)号：CN104916657A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410282792.6

申请日：2014-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松并绚也 ,  市毛正之 ,  今野拓也 ,  杉前纪久子

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/249 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145

Abstract: 本发明涉及非易失性存储器器件及其制造方法。根据一个实施例，非易失性存储器器件包括：在第一方向延伸的第一互连；在第二方向延伸的第二互连，以及所述第二互连的下端位于所述第一互连之上；在第三方向延伸的多个第三互连，以及所述第三互连被布置在所述第二方向；在所述第二互连和所述第三互连之间提供的电流限制层；在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的金属离子源层；在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的电阻改变层；以及在所述第一互连和所述第二互连的所述下端之间提供的选择器。