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公开(公告)号：CN113383407A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201980090884.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 极光先进雷射株式会社 , 国立大学法人九州大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本公开的一个观点的半导体晶体薄膜的制造方法包含以下步骤：通过对非晶质半导体照射第1脉冲时间宽度的第1脉冲激光，使非晶质半导体多晶化；以及通过对多晶化的半导体晶体的区域照射比第1脉冲时间宽度短的第2脉冲时间宽度的第2脉冲激光，降低半导体晶体的脊的高度。
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