公开(公告)号：CN111247626B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN201780096139.2

申请日：2017-12-21

Applicant: 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 池上浩 ,  若林理 ,  老泉博昭 ,  诹访辉

IPC: H01L21/22

Abstract: 一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射脉冲激光，其中，该激光照射方法包含以下步骤：读入照射到被照射物上所设定的矩形的照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量和照射到照射区域的照射脉冲数，其中，在对被照射物照射照射脉冲数的脉冲激光的情况下，注量为杂质源膜产生烧蚀的阈值以上并且小于半导体基板的表面产生损伤的阈值；在设照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、照射脉冲数为Nd、脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据用Vdx＝f·Bx/Nd表示的关系式计算扫描速度Vdx；以及以反复频率f对照射区域照射脉冲激光，并使被照射物相对于照射区域相对地以扫描速度Vdx移动。

公开(公告)号：CN111247626A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201780096139.2

申请日：2017-12-21

Applicant: 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 池上浩 ,  若林理 ,  老泉博昭 ,  诹访辉

IPC: H01L21/22

Abstract: 一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射脉冲激光，其中，该激光照射方法包含以下步骤：A.读入照射到被照射物上所设定的矩形的照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量和照射到照射区域的照射脉冲数，其中，在对被照射物照射照射脉冲数的脉冲激光的情况下，注量为杂质源膜产生烧蚀的阈值以上并且小于半导体基板的表面产生损伤的阈值；B.在设照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、照射脉冲数为Nd、脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据用Vdx＝f·Bx/Nd表示的关系式计算扫描速度Vdx；以及C.以反复频率f对照射区域照射脉冲激光，并使被照射物相对于照射区域相对地以扫描速度Vdx移动。

公开(公告)号：CN108604540A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680081317.X

申请日：2016-03-24

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  极光先进雷射株式会社

Inventor： 池上浩 ,  诹访辉 ,  若林理

IPC: H01L21/228

CPC classification number: H01L21/228

Abstract: 激光掺杂装置具有：溶液供给系统，其对掺杂区域供给包含掺杂剂的溶液；脉冲激光系统，其输出透过溶液且包含多个脉冲的脉冲激光；第一控制部，其控制对掺杂区域照射的脉冲激光的脉冲数和掺杂区域中的脉冲激光的注量；以及第二控制部，其控制溶液的流速，以使得每次照射脉冲时在溶液内所产生的气泡从掺杂区域移开。

公开(公告)号：CN111247625B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201780096121.2

申请日：2017-12-21

Applicant: 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 若林理 ,  池上浩 ,  老泉博昭

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/268

公开(公告)号：CN108780744A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680081336.2

申请日：2016-03-24

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  极光先进雷射株式会社

Inventor： 池上浩 ,  大久保智幸 ,  若林理

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/324 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备：CW激光装置，其输出对非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对已被进行了预热的非晶硅输出脉冲激光；光学系统，其将CW激光和脉冲激光引导至非晶硅；以及控制部，其控制CW激光的照射能量密度，以便将非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的非晶硅结晶。

公开(公告)号：CN107251341A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580075815.9

申请日：2015-03-16

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  极光先进雷射株式会社

Inventor： 大久保智幸 ,  池上浩 ,  柿崎弘司 ,  上场康弘 ,  若林理

IPC: H01S3/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01S3/0975 ,  H01S3/23

Abstract: 一种激光系统，其是作为对被加工物照射脉冲激光的激光退火装置的光源的激光系统，该激光系统可以具备：生成脉冲激光的激光装置；能够改变脉冲激光的脉冲时间波形的脉冲时间波形可变装置；以及从激光退火装置接收脉冲时间波形生成参数，对脉冲时间波形可变装置进行控制的控制部。

公开(公告)号：CN116669890A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180088721.0

申请日：2021-02-02

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  极光先进雷射株式会社

Inventor： 池上浩 ,  水谷彬

IPC: B23K26/03

Abstract: 机器学习方法包含以下步骤：取得根据被照射到第1区域的照明光的反射光生成的图像数据，该第1区域是基板上的半导体膜的利用脉冲激光被进行激光退火后的区域；取得第1区域中的半导体特性的计测数据；生成将图像数据作为输入、将计测数据作为输出而对应起来的训练数据；以及根据训练数据进行使用神经网络的机器学习，生成学习完毕模型。

公开(公告)号：CN108780744B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201680081336.2

申请日：2016-03-24

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  极光先进雷射株式会社

Inventor： 池上浩 ,  大久保智幸 ,  若林理

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 激光退火装置具备：CW激光装置，其输出对非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对已被进行了预热的非晶硅输出脉冲激光；光学系统，其将CW激光和脉冲激光引导至非晶硅；以及控制部，其控制CW激光的照射能量密度，以便将非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的非晶硅结晶。

公开(公告)号：CN108604540B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201680081317.X

申请日：2016-03-24

Applicant: 国立大学法人九州大学(JP) ,  极光先进雷射株式会社(JP)

Inventor： 池上浩 ,  诹访辉 ,  若林理

IPC: H01L21/228

Abstract: 激光掺杂装置具有：溶液供给系统，其对掺杂区域供给包含掺杂剂的溶液；脉冲激光系统，其输出透过溶液且包含多个脉冲的脉冲激光；第一控制部，其控制对掺杂区域照射的脉冲激光的脉冲数和掺杂区域中的脉冲激光的注量；以及第二控制部，其控制溶液的流速，以使得每次照射脉冲时在溶液内所产生的气泡从掺杂区域移开。

公开(公告)号：CN113383407A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201980090884.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 极光先进雷射株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 妹川要 ,  纳富良一 ,  若林理 ,  池上浩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开的一个观点的半导体晶体薄膜的制造方法包含以下步骤：通过对非晶质半导体照射第1脉冲时间宽度的第1脉冲激光，使非晶质半导体多晶化；以及通过对多晶化的半导体晶体的区域照射比第1脉冲时间宽度短的第2脉冲时间宽度的第2脉冲激光，降低半导体晶体的脊的高度。