Patent search ap:("松下知识产权经营株式会社") AND inv:"高须贺祥一" Page 1

1.

发明公开
半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统有权转让

公开(公告)号：CN109417276A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039851.9

申请日：2017-06-16

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中谷东吾 , 冈口贵大 , 池户教夫 , 横山毅 , 薮下智仁 , 高山彻 , 高须贺祥一

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。

Patent Agency Ranking