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公开(公告)号：CN119994486A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510086776.8
申请日：2025-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽带带内低RCS的能量选择表面，包括四个中心对称的选择表面部分；每个选择表面部分包括多个周期性分布的选择表面单元；每个选择表面单元包括极化转换层、第一介质层、第一频选层、第二介质层、能选层、第三介质层、第二频选层；极化转换层中加载第一射频开关，所述第一射频开关采用二极管和集总电感并联设置；利用二极管截止与导通的阻抗切换特性，在低功率电磁波入射下产生一个低插入损耗的宽通带，高功率电磁波入射下产生一个覆盖通带频率及高频部分的宽散射带。此外，该结构还具有极化不敏感的特性，同时由于二极管的特性还具有一定的吸波效果。
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公开(公告)号：CN115296031B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210927069.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q1/52 , H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q21/00 , H04B7/0417
Abstract: 本发明提出一种应用于多天线通信系统的宽频带去耦合结构，包括包括n个去耦单元；每个去耦单元包括N个类C形金属线，各类C形金属线通过金属化通孔连接，去耦单元的各类C形金属线与其同层的金属面不接触；类C形金属线的开口与其连接的偶极子臂朝向相同；朝向同向的类C形金属线在底层金属面的投影重合；每个去耦单元在底层金属面的投影构成1个开口环。本发明采用多层分布技术，可以在不影响阻抗匹配与带宽的情况下，大大提高单元间的隔离度，从而改善方向图，抑制后瓣。本发明可用标准PCB工艺加工，成本低、剖面低、易于集成，不仅可应用于多层天线阵列中，也可应用于单层天线阵列及其他宽频带多天线通信系统。
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公开(公告)号：CN116315543B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310278336.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种所有腔体均可共用的小型化SIW滤波交叉结。从输入至输出包括第一至第三单元结构，且相邻结构间通过两耦合传输线连接；在每个SIW圆形腔里两个滤波交叉结通道使用TE201模和TE102模，由于两个模式的正交性，两个通带具有天然的隔离；通过设置两个通道的外部品质因数和耦合系数，各个通带具有带通滤波特性；每个SIW圆形腔里直线型金属化通孔阵列微扰在滤波交叉结通道二传输电场最强处，使其通带中心频率向高频偏移，而在滤波交叉结通道一传输电场零点处，对滤波交叉结通道一的通带几乎没有影响。两个通带的信号传输电场模式完全正交，互不影响，隔离度高；两个通带设计完全独立，方便设计每个通带的中心频率。
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公开(公告)号：CN119674553A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411771525.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下依次包括频选层、介质层、能选层，所述频选层包括第一介质基板以及第一介质基板上、下表面的多个金属曲折结构和电阻，所述能选层包括第二介质基板以及第二介质基板上表面的多个金属块结构和二极管，所述频选层和能选层被介质层所隔开。本发明的能量选择表面和频率选择表面通过介质层阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在带外形成了较宽的吸收频带；而在高功率电磁波入射时，在工作频段实现了具有较高的屏蔽效能的反射频带，并在带外形成了较宽的吸收频带。本发明整体设计结构原理简单清晰，具备广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN119420289A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411526763.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种输入阻抗稳定的太赫兹宽带开关键控调制器。本发明采用并联型共基共射底层差分对，其工作在差模状态时，晶体管Q6、Q5、Q7、Q8构成的信号通路构成放大通路，保证了高电流增益；当工作在共模状态时，来自共射极晶体管对Q5、Q8与共基极晶体管对Q6、Q7的信号被抵消，从而抑制共模泄漏信号，进一步提升了“开‑关”隔离度。通过调控共基极晶体管对Q6、Q7的直流偏置、尺寸大小，进而实现调控工作频带。本发明采用并联型共基共射差分对作为底部尾管的双平衡差分结构OOK调制器，在实现超宽带的输入匹配、高开关隔离度的同时实现了低“开/关”输入阻抗变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118399080A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410422306.X
申请日：2024-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多频共口径基站天线阵列，属于通信技术领域，它由上至下依次包括一个低频双极化天线、多高频双极化天线单元组成的天线阵及天线阵金属板；所述低频天线单元为偶极子天线，包括两对十字交叉的U形偶极子臂，每个偶极子臂两侧均加载了周期排布的金属条带；所述低频天线的馈电巴伦采用不完整的金属地，以减弱对高频天线的遮挡。本发明通过加载在低频十字交叉偶极子臂两侧的金属条带抑制高频天线激励起的高频电流，减少低频天线对高频天线辐射的遮挡效果，实现高频电磁透明特性；加载在低频十字交叉偶极子的金属条带对低频双极化天线和高频双极化天线单元的阻抗匹配影响较小，具有良好的应用情景。
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公开(公告)号：CN117477241A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311230390.7
申请日：2023-09-22
Applicant: 杭州电子科技大学(天台)数字产业研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种应用在毫米波天线阵列的条带型去耦合结构，所述去耦合结构从上至下分别为去耦结构和平行折叠偶极子天线阵列，所述平行折叠偶极子天线阵列与所述去耦结构之间设有空气腔；去耦结构单层排布，与平行折叠偶极子天线阵列通过尼龙垫片与螺丝固定。本发明采用将去耦寄生贴片反射面结构覆盖在天线上方的方式，相邻单元间的20dB隔离度带宽达到20％(24.5～30GHz)，隔离度最大提升15dB，实现了宽带去耦合，并保持良好的阻抗匹配，从而使天线阵列拥有更好的波束扫描性能，最大波束扫描角度达到45°。本发明可用标准PCB工艺加工，成本低、剖面低、易于加载覆盖，可应用于各种毫米波宽带天线阵列中。
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公开(公告)号：CN114171901B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111227242.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开基于人工表面等离子体激元的宽角度全向漏波天线，包括馈线，辐射结构，1或2个端口；辐射结构贯穿在馈线上，且辐射结构与馈线相接触，用于将所馈入的能量以电磁波的形式辐射到外部自由空间中，可以通过改变辐射单元结构的尺寸参数影响波束的相位来调整辐射波束的角度；将人工表面等离子体激元结构与传统的漏波天线结构相结合扩大波束扫描范围，并通过梭形辐射部件提高漏波天线的辐射效率，使其克服了传统的漏波天线存在的波束范围小，工作带宽窄，频带低等缺陷，本发明具有宽波束角度，宽工作频带，从后向前扫描特性，应用范围广，结构可调整，无方向性等优点。
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公开(公告)号：CN116780206A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310950275.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及高角度稳定的宽带多层磁性材料吸波结构。目前已报道的传统吸波结构多数基于谐振型吸波结构，单元中设置有较多集总元件。虽然传统结构易于拓宽吸波频带，但是无法高效吸收不同极化大角度入射的电磁波。本发明通过将不同结构尺寸的磁性吸波材料进行垂直设置，并在材料间内嵌介质层进行阻抗匹配，实现了对不同极化均有效的宽带高角度稳定性的吸波性能。该多层磁性材料吸波结构原理清晰，单元结构简单，便于加工，具有巨大的潜在工程应用价值。
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公开(公告)号：CN116470292A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310669281.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于抗干扰的零点扫描漏波天线，包括由下往上设置的金属底板、介质基板和辐射天线，所述金属底板的两侧边缘处设置有金属通孔，所述辐射天线右辐射体和左辐射体，所述右辐射体和左辐射体由多个辐射单元组成，所述右辐射体和左辐射体之间设有间隙，所述右辐射体和左辐射体均包括天线本体和馈线，所述馈线呈对称结构设置在天线本体两侧。基于槽线结构和基片集成波导结构设计，不仅具有良好的带外抑制性能，较宽的工作频带，并且结构简单，可采用印刷电路工艺制作，进而方便大规模量产，有效降低生产成本。
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