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公开(公告)号：CN118801835A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410991083.9
申请日：2024-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于晶体管反馈和偏置的太赫兹超宽带放大器。本发明在传统的Cascode结构放大器的基础上，引入了二极管接法的晶体管Q3，该晶体管的寄生电容连接在输出匹配电路和共基极晶体管Q2的基极之间，构成了反馈回路，拓展了放大器带宽，同时利用晶体管Q3中PN结的压降实现Cascode共基极晶体管Q2的电压自偏置，减少了额外的电压偏置电路。本发明反馈回路的引入，降低了Cascode结构输出端的阻抗匹配难度。
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公开(公告)号：CN116315543B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310278336.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种所有腔体均可共用的小型化SIW滤波交叉结。从输入至输出包括第一至第三单元结构，且相邻结构间通过两耦合传输线连接；在每个SIW圆形腔里两个滤波交叉结通道使用TE201模和TE102模，由于两个模式的正交性，两个通带具有天然的隔离；通过设置两个通道的外部品质因数和耦合系数，各个通带具有带通滤波特性；每个SIW圆形腔里直线型金属化通孔阵列微扰在滤波交叉结通道二传输电场最强处，使其通带中心频率向高频偏移，而在滤波交叉结通道一传输电场零点处，对滤波交叉结通道一的通带几乎没有影响。两个通带的信号传输电场模式完全正交，互不影响，隔离度高；两个通带设计完全独立，方便设计每个通带的中心频率。
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公开(公告)号：CN119420289A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411526763.X
申请日：2024-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种输入阻抗稳定的太赫兹宽带开关键控调制器。本发明采用并联型共基共射底层差分对，其工作在差模状态时，晶体管Q6、Q5、Q7、Q8构成的信号通路构成放大通路，保证了高电流增益；当工作在共模状态时，来自共射极晶体管对Q5、Q8与共基极晶体管对Q6、Q7的信号被抵消，从而抑制共模泄漏信号，进一步提升了“开‑关”隔离度。通过调控共基极晶体管对Q6、Q7的直流偏置、尺寸大小，进而实现调控工作频带。本发明采用并联型共基共射差分对作为底部尾管的双平衡差分结构OOK调制器，在实现超宽带的输入匹配、高开关隔离度的同时实现了低“开/关”输入阻抗变化。
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公开(公告)号：CN118748541A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410973578.9
申请日：2024-07-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多电感‑电阻反馈的小型化宽带低噪声放大器，包括两级放大电路、多电感‑电阻反馈电路、偏置电流源、主供电电路、第一隔直电容C1、第二隔直电容C2、源极电感L4，可实现小的芯片尺寸、宽的带宽、较高的增益、较低的噪声。本发明通过多电感‑电阻反馈电路为两级共源放大电路提供电压偏置；本发明不涉及级间电容，建立直流耦合，减小了电路面积，提高了低噪声放大器低频处的性能；本发明采用多电感‑电阻反馈，能够有效的抑制高频处的噪声，并提高高频处的增益，有效的提高工作频段内的增益平坦度；本发明采用偏置电流源，为放大电路提供稳定的静态工作点。
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公开(公告)号：CN116722333A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310910463.0
申请日：2023-07-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一端口、第二端口、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、第三金属化通孔；利用类FSIW通带谐振器的第一、第二模式构造第一、第二通带，具有尺寸小、封闭性的优点，利用类FSIW阻带谐振器的第一、第二模式将第一、第二通带分别分裂成两通带，构造了四频带滤波器，通过改变通带谐振器与阻带谐振器之间耦合窗长度独立控制第一模式之间的耦合，通过改变连接通带谐振器与阻带谐振器的微带的宽度独立控制第二模式之间的耦合，滤波器可以独立控制各模式的耦合量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114400425B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202111638200.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波双频带滤波交叉结，主要包括微带滤波交叉结、低通滤波器、缝隙耦合馈电结构、基片集成波导(SIW)滤波交叉结、转接微带线和50欧姆馈电微带线。本发明能够同时覆盖频率跨度很大的微波频段和毫米波频段，实现了高频比的双频段交叉结，而面积仅与微波频段的单频带微带线交叉结相当，并在两个频带内均具有滤波功能；另一方面，由于微波频段信号和毫米波频段信号具有相互隔离的物理传输路径，两者之间互不影响，隔离度高，因此使得两个频段的交叉结设计完全独立，大大方便了双频带高频比交叉结的设计。
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公开(公告)号：CN118943689A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410959496.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种源和负载悬挂贴片谐振器的零点可调SIW滤波器，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、第三金属化通孔阵列、输入输出端口。本发明在SIW腔体中嵌入金属贴片作为悬挂谐振器，实现传输零点的同时减小了滤波器的面积，利用悬挂谐振器的第二模式和SIW腔体的主模(第三模式)分别构建滤波器的传输零点和极点，分别调节悬挂贴片的宽度和SIW腔体的宽度可以独立控制两种模式的谐振频率，并且通过调整馈电端口的位置以及槽线长度，可以轻易调节主谐振器和悬挂谐振器的外部品质因数，设计简单。
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公开(公告)号：CN117317548A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311364753.6
申请日：2023-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种基于类FSIW双模腔体的小型化频比可控双工器，由顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层和第一矩形环共同构建第一类FSIW矩形腔，由顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层和第二矩形环共同构建第二类FSIW矩形腔，第一类FSIW矩形腔、第二类FSIW矩形腔通过公共侧壁上的耦合窗连通。该双工器利用类FSIW矩形腔体的第一模式和第二模分别构建双工器的第一、第二工作频带，充分利用类FSIW的两个模式，实现了双工器平面尺寸减小70％，同时还具有设计简单、频比可控等优点。
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公开(公告)号：CN114400425A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111638200.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波双频带滤波交叉结，主要包括微带滤波交叉结、低通滤波器、缝隙耦合馈电结构、基片集成波导(SIW)滤波交叉结、转接微带线和50欧姆馈电微带线。本发明能够同时覆盖频率跨度很大的微波频段和毫米波频段，实现了高频比的双频段交叉结，而面积仅与微波频段的单频带微带线交叉结相当，并在两个频带内均具有滤波功能；另一方面，由于微波频段信号和毫米波频段信号具有相互隔离的物理传输路径，两者之间互不影响，隔离度高，因此使得两个频段的交叉结设计完全独立，大大方便了双频带高频比交叉结的设计。
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公开(公告)号：CN115863944B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202211484734.2
申请日：2022-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SIW腔体与带状线谐振器混合的小型化滤波器，主要包括SIW腔体、由两条带状线组成的中间金属层、连接带状线与下表面金属层的盲孔、馈电微带线。SIW腔体、全波长带状线谐振器的二次模和半波长带状线的一次模用于构建滤波器传输极点，全波长带状线的一次模作为非谐振节点用于构建额外传输零点，滤波器产生两个位置可调的传输零点。两条带状线为两个SIW腔体引入电耦合，可以在相邻SIW腔体共用金属侧壁上开感性窗，构建电磁混合耦合，进而为通带右侧额外增加一个传输零点。相比于传统四阶SIW滤波器，本发明尺寸减小了50％，同时保持了很高的频率选择性。
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