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公开(公告)号：CN108763789B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810554893.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种基于忆容器的回转忆感器电路。电路由两个集成运放、电阻和一个忆容器构成。其中集成运放以及电阻构成了电感回转器，回转器起到将容性负载转换为感性负载的功能，当从该电路输入端看去时，电路呈现电感特性。本发明电路结构简单，仅仅包括回转电路以及忆容器两部分，忆感值继承了忆容值变化的特点，同样具有记忆功能，且记忆功能会随着信号频率的变化而变化，完全符合记忆器件的特性。
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公开(公告)号：CN113191490A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110265386.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时滞神经网络的单神经元混沌电路。其中，神经元电路由运算放大器、电阻、电容组成的加法、积分运算电路及激活函数电路模块构成；激励电路模块由加法电路和第一到第五分段模块构成；分段模块由继电器及运算放大器构成的加法运算电路和电压比较电路构成。给定初始值和时滞，可以通过示波器观察到电压x(t)和时滞信号电压x(t‑τ)之间产生的混沌振荡现象，并且当设置为不同的初始值或时滞可以观察到不同的混沌现象。该电路实现了单神经元在固定时滞下可产生复杂的混沌振荡，对混沌神经网络的应用研究有重要的意义。
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公开(公告)号：CN109002602A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810756938.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种浮地磁控忆感器仿真器电路。本发明中的电流传输器U1、U2通过外接一个电容，构成积分电路，构成磁通量产生电路。U1将输出连接到乘法器U6，U2将输出经过一个积分电路后连接到U6，乘法器U6对磁通量和磁通量的积分进行乘法运算，并将结果输出到加法器U9。积分器U5同时也将信号传输到乘法器U7，U7对磁通量积分进行自相乘，并将输出传输到U8。乘法器U8对U1的磁通量和U7的磁通量积分的平方相乘，并将输出传输到U9。加法器U9对来自U6和U8的信号进行加法运算，并将输出传输到电流传输器U4。本发明用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN108959837A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811156823.8
申请日：2018-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5063
Abstract: 本发明公开了一种四值忆阻器仿真器的实现电路，本发明包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8、U9、U10、U11，集成运算放大器U1连接输入端，即四值忆阻器的电压u和电流i的测试端；集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9、U10、U11用于实现积分运算、求和运算和反相运算，求得控制忆导值的状态变量，得到需要的忆导控制函数。通过乘法器U4、U5及集成运算放大器U1的反相加法运算，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现四值忆阻器特性的仿真器，用以模拟四值忆阻器的伏安特性，便于对四值忆阻器进行实验和应用研究。
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公开(公告)号：CN112906879B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110265375.0
申请日：2021-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局部有源忆阻器的HR神经元电路模型，包括集成运算放大器U1、U4、U5和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9和少量电阻、电容，集成运算放大器U1、U4、U5用于实现积分运算、加法运算和反相比例运算，乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9用于实现信号的相乘运算。本发明结构简单，在目前及未来无法获得实际局部有源忆阻器件的情况下，可代替实际器件实现基于局部有源忆阻器的HR神经元电路模型，对局部有源忆阻器的特性和忆阻神经元电路研究具有重要的实际意义，通过引入的局部有源忆阻器来模拟神经元受到的外部刺激，能够展现出复杂的动力学行为。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113191490B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110265386.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时滞神经网络的单神经元混沌电路。其中，神经元电路由运算放大器、电阻、电容组成的加法、积分运算电路及激活函数电路模块构成；激励电路模块由加法电路和第一到第五分段模块构成；分段模块由继电器及运算放大器构成的加法运算电路和电压比较电路构成。给定初始值和时滞，可以通过示波器观察到电压x(t)和时滞信号电压x(t‑τ)之间产生的混沌振荡现象，并且当设置为不同的初始值或时滞可以观察到不同的混沌现象。该电路实现了单神经元在固定时滞下可产生复杂的混沌振荡，对混沌神经网络的应用研究有重要的意义。
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公开(公告)号：CN111950213B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201911171690.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端，即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算，将输出信号再返回到集成运算放大器U5，集成运算放大器U2用于实现反相放大运算，将输出信号返回到集成运算放大器U1，最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算，集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性。
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公开(公告)号：CN109684747B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201811610140.5
申请日：2018-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种对数型荷控忆容器等效电路模型。该电路模型利用运算放大器和乘法器等器件构建了满足忆容器特性的电路模型，可应用于忆容器基础电路特性的研究，以及忆容器非线性电路的研究。根据忆容器的数学定义式设计了忆容器二端口模拟电路模型，运算放大器U1用于实现了积分器功能、加法器功能、对数运算器功能，U2用于实现了反相器功能、U3是实现信号相乘的功能。当输入正弦电流激励信号时，可以用示波器观察其特性，输出的电压信号与电荷信号的电压值之间满足紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。
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公开(公告)号：CN109002602B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201810756938.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种浮地磁控忆感器仿真器电路。本发明中的电流传输器U1、U2通过外接一个电容，构成积分电路，构成磁通量产生电路。U1将输出连接到乘法器U6，U2将输出经过一个积分电路后连接到U6，乘法器U6对磁通量和磁通量的积分进行乘法运算，并将结果输出到加法器U9。积分器U5同时也将信号传输到乘法器U7，U7对磁通量积分进行自相乘，并将输出传输到U8。乘法器U8对U1的磁通量和U7的磁通量积分的平方相乘，并将输出传输到U9。加法器U9对来自U6和U8的信号进行加法运算，并将输出传输到电流传输器U4。本发明用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN110516352A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910794192.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及了一种基于对数型忆容器的混沌振荡器的等效电路。本发明包括乘法器U1，集成运算放大器芯片U2，乘法器U3，集成运算放大器芯片U4，集成运算放大器芯片U5；所述的乘法器U1、U3主要实现两个信号的乘法运算；集成运算放大器芯片U2主要实现反相对数运算和反相比例运算，集成运算放大器芯片U4主要实现反相比例运算和反相积分运算，集成运算放大器芯片U5主要实现反相比例运算和反相积分运算；乘法器U1、U3采用AD633，集成运算放大器芯片U2、U4、U5采用LF347。本发明含有2个乘法器和3个集成运算放大器芯片，结构清晰简单，功能易于实现。
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