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公开(公告)号：CN106744670B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201611046617.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106744670A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611046617.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。
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