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公开(公告)号：CN114724832B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210210146.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁体制备技术领域，为解决现有技术下难以调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，补氧效果波动大，产品的一致性差的问题，公开了一种烧结钕铁硼氧含量的调控制备方法，包括如下步骤：将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼和甩带得到钕铁硼甩带片；将钕铁硼甩带片氢破处理得到氢破后粗粉；将氢破后粗粉在气流磨中由惰性气体研磨得到钕铁硼细粉；向钕铁硼细粉中加入MgO粉末和添加剂，混合后得到混后细粉；将混后细粉取向压制和等静压处理得到钕铁硼压坯；将钕铁硼压坯真空烧结、回火后，得到钕铁硼磁体。本发明可以灵活调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，优化了磁体的性能，并且制得的磁体的一致性好。
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公开(公告)号：CN113560515B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110686800.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22D11/119 , B22D11/06
Abstract: 本发明公开了一种稀土磁性材料速凝铸带用中间包及浇注方法，稀土磁性材料速凝铸带用中间包包括上级中间包、下级中间包和过滤装置，上级中间包为漏斗状，其底部开有直线型的出液缝隙；下级中间包包括容液槽和拦液坝，拦液坝与容液槽的底板间形成成型缝隙；上级中间包内设有过滤装置，过滤装置上部开有多个过滤孔，过滤孔的孔径大于出液缝隙的宽度。熔液注入上级中间包内的过滤装置，从过滤孔流出时，大块的浮渣被过滤孔拦截，留在过滤装置内，不会影响出液缝隙和成型缝隙，如此能避免大块的浮渣堵塞熔液流通通道，确保产品质量，降低事故发生的可能。浇注方法在浇注过程中及时分离大块的浮渣，避免大块的浮渣过多堵塞熔液流通通道。
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公开(公告)号：CN114724832A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210210146.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁体制备技术领域，为解决现有技术下难以调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，补氧效果波动大，产品的一致性差的问题，公开了一种烧结钕铁硼氧含量的调控制备方法，包括如下步骤：将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼和甩带得到钕铁硼甩带片；将钕铁硼甩带片氢破处理得到氢破后粗粉；将氢破后粗粉在气流磨中由惰性气体研磨得到钕铁硼细粉；向钕铁硼细粉中加入MgO粉末和添加剂，混合后得到混后细粉；将混后细粉取向压制和等静压处理得到钕铁硼压坯；将钕铁硼压坯真空烧结、回火后，得到钕铁硼磁体。本发明可以灵活调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，优化了磁体的性能，并且制得的磁体的一致性好。
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公开(公告)号：CN113555208A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110653149.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼腐蚀防护领域，针对烧结钕铁硼磁体现有的防腐蚀方法易带来污染的问题，提供一种烧结钕铁硼磁体的表面处理方法，在钕铁硼磁体的表面设置水膜，然后将钕铁硼磁体400～500℃高温加热1～30min处理后冷却，在烧结钕铁硼磁体表面形成钝化薄膜。与现有技术相比，本发明的处理方法不仅能够提升钕铁硼磁体的表面防腐蚀性能，而且防腐蚀效果更好，并且更加的环保，且操作简单，容易实现。
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公开(公告)号：CN112509792B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011343359.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01F27/255 , H01F27/34 , H01F41/02
Abstract: 本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒。本发明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性纳米颗粒分散在非磁性绝缘基体中形成；非磁性绝缘基体能有效阻止电子传导，显著降低涡流损耗；同时超顺磁性纳米粒颗具有线性磁化曲线，具有优异的抗直流偏置特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113072368B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110274073.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能M型铁氧体的气氛烧结方法，其包括配料、预烧、制浆、成型、气氛烧结步骤，而整个气氛烧结过程分为排胶阶段、第一保温阶段、第二保温阶段、第一降温阶段、第二降温阶段、第三降温阶段等多个气氛烧结阶段。本发明通过在不同的烧结阶段分别控制氧分压，能够获得晶粒尺寸均匀的单畴M型铁氧体，并且避免Co2+离子的氧化和Fe3+离子的还原，有效提高了M型铁氧体的内禀磁性能和矫顽力。本发明方法可与现行生产设备兼容，具有很大的实用价值。
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公开(公告)号：CN113560515A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110686800.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22D11/119 , B22D11/06
Abstract: 本发明公开了一种稀土磁性材料速凝铸带用中间包及浇注方法，稀土磁性材料速凝铸带用中间包包括上级中间包、下级中间包和过滤装置，上级中间包为漏斗状，其底部开有直线型的出液缝隙；下级中间包包括容液槽和拦液坝，拦液坝与容液槽的底板间形成成型缝隙；上级中间包内设有过滤装置，过滤装置上部开有多个过滤孔，过滤孔的孔径大于出液缝隙的宽度。熔液注入上级中间包内的过滤装置，从过滤孔流出时，大块的浮渣被过滤孔拦截，留在过滤装置内，不会影响出液缝隙和成型缝隙，如此能避免大块的浮渣堵塞熔液流通通道，确保产品质量，降低事故发生的可能。浇注方法在浇注过程中及时分离大块的浮渣，避免大块的浮渣过多堵塞熔液流通通道。
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公开(公告)号：CN113213969A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110419869.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼熔炼技术领域，针对现有坩埚修补方法中容易引入Al等导致坩埚被刻蚀，出现凹坑或者裂纹的问题，公开一种烧结钕铁硼熔炼用坩埚的预处理方法及烧结钕铁硼的制备方法，包括清洗坩埚的表面结渣，并将坩埚表面吹扫干净；将填补料和矿粘合剂混合均匀制备涂覆料；将涂覆料在坩埚的内表面均匀的涂覆形成涂覆膜层；对坩埚和涂覆膜层加热，实现涂覆膜层干燥；所用的填补料为氧化锆、氧化铌、氧化钛粉末中的至少一种。本发明的坩埚的预处理方法可以有效的避免Al等引入，提高坩埚的使用寿命和清理坩埚的效率。同时采用本发明的方法烧纸的钕铁硼磁体的性能波动性下降，性能稳定性得到提升。
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公开(公告)号：CN112509792A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011343359.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01F27/255 , H01F27/34 , H01F41/02
Abstract: 本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性绝缘基体和分散于非磁性绝缘基体中的磁性纳米颗粒。本发明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性纳米颗粒分散在非磁性绝缘基体中形成；非磁性绝缘基体能有效阻止电子传导，显著降低涡流损耗；同时超顺磁性纳米粒颗具有线性磁化曲线，具有优异的抗直流偏置特性。
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公开(公告)号：CN113555208B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110653149.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼腐蚀防护领域，针对烧结钕铁硼磁体现有的防腐蚀方法易带来污染的问题，提供一种烧结钕铁硼磁体的表面处理方法，在钕铁硼磁体的表面设置水膜，然后将钕铁硼磁体400～500℃高温加热1～30min处理后冷却，在烧结钕铁硼磁体表面形成钝化薄膜。与现有技术相比，本发明的处理方法不仅能够提升钕铁硼磁体的表面防腐蚀性能，而且防腐蚀效果更好，并且更加的环保，且操作简单，容易实现。
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