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公开(公告)号：CN114724832B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210210146.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁体制备技术领域，为解决现有技术下难以调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，补氧效果波动大，产品的一致性差的问题，公开了一种烧结钕铁硼氧含量的调控制备方法，包括如下步骤：将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼和甩带得到钕铁硼甩带片；将钕铁硼甩带片氢破处理得到氢破后粗粉；将氢破后粗粉在气流磨中由惰性气体研磨得到钕铁硼细粉；向钕铁硼细粉中加入MgO粉末和添加剂，混合后得到混后细粉；将混后细粉取向压制和等静压处理得到钕铁硼压坯；将钕铁硼压坯真空烧结、回火后，得到钕铁硼磁体。本发明可以灵活调控稀土永磁钕铁硼的氧含量，优化了磁体的性能，并且制得的磁体的一致性好。
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公开(公告)号：CN114062407B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111191941.4
申请日：2021-10-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2005 , G01N23/207
Abstract: 针对稀土合金粉末研磨制样时容易发生氧化，影响XRD分析效果的问题，本发明提供一种稀土磁性合金XRD分析的制样方法，将稀土磁性合金置于磁场中微磁化处理，然后与有机溶剂混合研磨得到稀土磁性合金粉末，研磨结束后去除多余有机溶剂，其中磁场强度不高于600Gs。本发明的制样方法可以有效保护稀土磁性合金粉末在研磨过程中避免氧化，提高XRD分析效果的准确性，同时也提高了研磨效率。
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公开(公告)号：CN116223262A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310178074.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明提供一种R‑T‑B稀土永磁体脆性评价方法，将R‑T‑B稀土永磁体加工成相同形状和尺寸的磁片，对磁片进行标号并记录每片磁片的初始重量，随后将一定数量的磁片平铺置于容器底部中并固定在电磁振动机上，进行振动测试，测量振动后的重量，计算磁片振动前后重量损失量与初始重量的比值k来表征R‑T‑B磁体的脆性，k值越大说明磁体脆性越大，也越容易产生缺边掉角。采用本发明方法样品制备方便，操作简单，克服了传统磁体脆性表征方法结果分辨力和可靠性差的不足，提供了一种高分辨率的磁体脆性表征方法，在后续产品加工过程中，结合磁体脆性的不同可以选择不同的机加工速度，在兼顾加工合格率和加工速度的情况下降低产品的生产成本。
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公开(公告)号：CN113560515B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110686800.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22D11/119 , B22D11/06
Abstract: 本发明公开了一种稀土磁性材料速凝铸带用中间包及浇注方法，稀土磁性材料速凝铸带用中间包包括上级中间包、下级中间包和过滤装置，上级中间包为漏斗状，其底部开有直线型的出液缝隙；下级中间包包括容液槽和拦液坝，拦液坝与容液槽的底板间形成成型缝隙；上级中间包内设有过滤装置，过滤装置上部开有多个过滤孔，过滤孔的孔径大于出液缝隙的宽度。熔液注入上级中间包内的过滤装置，从过滤孔流出时，大块的浮渣被过滤孔拦截，留在过滤装置内，不会影响出液缝隙和成型缝隙，如此能避免大块的浮渣堵塞熔液流通通道，确保产品质量，降低事故发生的可能。浇注方法在浇注过程中及时分离大块的浮渣，避免大块的浮渣过多堵塞熔液流通通道。
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公开(公告)号：CN113555208B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110653149.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼腐蚀防护领域，针对烧结钕铁硼磁体现有的防腐蚀方法易带来污染的问题，提供一种烧结钕铁硼磁体的表面处理方法，在钕铁硼磁体的表面设置水膜，然后将钕铁硼磁体400～500℃高温加热1～30min处理后冷却，在烧结钕铁硼磁体表面形成钝化薄膜。与现有技术相比，本发明的处理方法不仅能够提升钕铁硼磁体的表面防腐蚀性能，而且防腐蚀效果更好，并且更加的环保，且操作简单，容易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116487140A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310338847.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于选区晶界扩散的低缺角率R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法，将大块钕铁硼磁体基体，切割成大片状磁体，在大片状磁体的扩散表面设置非涂覆区域和多个涂覆区，进行选区涂覆重稀土元素扩散源，再进行扩散处理，机加工得到最终成品磁体。成品磁体存在至少一个表面A，其平均重稀土含量高于磁体平均重稀土含量，边角区域表面的平均重稀土元素含量低于非边角区域表面，边角区域表面的硬度低于非边角区域表面。本发明先对大片钕铁硼磁体进行晶界扩散处理，再进行机加工，减少边角的碰撞机会。选区涂覆保证边角区域不涂覆扩散源，减少边角区域的扩散内应力和稀土含量，降低边角区域的硬度和脆性，提高最终磁体边角的防冲击能力，降低磁体的缺边掉角率，提高磁体的合格率。
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公开(公告)号：CN113649580B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110789362.3
申请日：2021-07-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及稀土合金氢破处理技术领域，针对现有稀土合金氢破生产效率低且安全性受影响的问题，公开一种高效的氢破装置，包括可旋转的氢破釜、设于氢破釜下方的可旋转的脱氢釜和用于加热脱氢釜的加热装置；氢破釜上方设有进料罐，氢破釜的顶部和进料罐经进料管连接，进料管上设有第一压力平衡阀结构；氢破釜的底部和脱氢釜的顶部经输料管连接，输料管上设有第二压力平衡阀结构；脱氢釜的下方设有出料罐，脱氢釜的底部和出料罐经出料管连接，出料管上设有出料阀。本发明的稀土合金氢破装置可以实现稀土合金的氢破以及脱氢分开独立进行，既提高了生产效率，而且避免了现有技术中对氢破反应釜的冷却和加热的交替处理，提高了设备的操作安全性。
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公开(公告)号：CN116230380A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211635971.4
申请日：2022-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼磁体技术领域，特别涉及一种兼具高剩磁和高矫顽力的烧结NdFeB磁体的制备方法。该方法首先分别制备钕铁硼合金和Al2Tb合金，然后采用两种合金兑混后经过气流磨、取向成型、等静压、烧结、热处理制备得到烧结NdFeB磁体。采用该方法制备的磁体，是一种具有高剩磁和高矫顽力的烧结NdFeB磁体；得到的磁体的晶粒尺寸明显减小，组织均匀，这种理想组织结构的实现，最终提高了磁体的磁性能。
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公开(公告)号：CN113213969B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110419869.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及烧结钕铁硼熔炼技术领域，针对现有坩埚修补方法中容易引入Al等导致坩埚被刻蚀，出现凹坑或者裂纹的问题，公开一种烧结钕铁硼熔炼用坩埚的预处理方法及烧结钕铁硼的制备方法，包括清洗坩埚的表面结渣，并将坩埚表面吹扫干净；将填补料和矿粘合剂混合均匀制备涂覆料；将涂覆料在坩埚的内表面均匀的涂覆形成涂覆膜层；对坩埚和涂覆膜层加热，实现涂覆膜层干燥；所用的填补料为氧化锆、氧化铌、氧化钛粉末中的至少一种。本发明的坩埚的预处理方法可以有效的避免Al等引入，提高坩埚的使用寿命和清理坩埚的效率。同时采用本发明的方法烧纸的钕铁硼磁体的性能波动性下降，性能稳定性得到提升。
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公开(公告)号：CN114062407A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111191941.4
申请日：2021-10-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2005 , G01N23/207
Abstract: 针对稀土合金粉末研磨制样时容易发生氧化，影响XRD分析效果的问题，本发明提供一种稀土磁性合金XRD分析的制样方法，将稀土磁性合金置于磁场中微磁化处理，然后与有机溶剂混合研磨得到稀土磁性合金粉末，研磨结束后去除多余有机溶剂，其中磁场强度不高于600Gs。本发明的制样方法可以有效保护稀土磁性合金粉末在研磨过程中避免氧化，提高XRD分析效果的准确性，同时也提高了研磨效率。
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