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公开(公告)号：CN114873554A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210240429.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81C1/00 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35 , C30B29/06 , C30B33/10 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了属于光学器件技术领域的一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法。所述方法通过磁控溅射的方法，在单晶硅或CVD多晶硅衬底上沉积制备银纳米颗粒的点阵或图案，然后将沉积后的衬底置于反应溶液中进行刻蚀，刻蚀方向为银纳米颗粒与衬底的竖直方向，得到图案化纳米硅柱结构，最后去除银纳米颗粒经干燥得到图案化黑硅。本发明方法制备的银辅助湿法刻蚀黑硅实现晶圆级制备，使纳米硅柱直径、间距可控，并具有较好的重复性，同时引入光刻工艺实现图形化。
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公开(公告)号：CN113270538A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011596434.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米红外吸收层的红外探测器敏感元及其制备方法。该红外探测器敏感元由上至下依次包括红外敏感吸收层、上电极层、上电极连接层、热释电薄层、下电极连接层、下电极层，其中，所述红外敏感吸收层为具有纳米团簇结构的纳米红外吸收层。其制备方法包括：采用直流磁控溅射或热蒸发镀膜技术在热释电体薄片上依次沉积上电极连接层、上电极层；然后在热释电晶体薄片反面，依次沉积下电极连接层、下电极层；将热释电晶体薄片粘接到衬底托上，利用旋涂、丝网印刷或喷涂方法将纳米红外吸收材料图形化，制备成红外敏感吸收层；利用机械划片机或激光划片技术，对阵列器件进行划片分割，得到单个红外探测器敏感元成品。
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公开(公告)号：CN112268938A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011132592.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了属于气体传感器领域的一种NOx气体传感器；其中自下而上依次包括：硅基底层、支撑层、加热电极、绝缘层、测试电极层；其中硅基底层上方的测试端一侧开有隔热腔；支撑层完全覆盖硅基底层；加热电极设置于支撑层和绝缘层之间，绝缘层用于隔离加热电极和测试电极层；所述测试电极层包括：平行排列的第二电极、第一电极和第三电极，其中第一电极、第二电极和第三电极均由电极端延伸至测试端。本发明中第一电极选用对NOx敏感材料制作，第二、第三电极采用贵金属制作，并构成三电极体系。测试时，第三电极作为参比电极，可调控第二电极极化电压；通入NOx气体后，可通过记录第一、第二电极间电流变化确定NOx含量。
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公开(公告)号：CN111337471A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010115873.2
申请日：2020-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印和电化学沉积技术的SERS基底的制备方法，包括以下步骤：(1)通过电子束曝光制备多孔纳米压印模板；(2)通过纳米压印将多孔纳米压印模板图形转移到压印胶上并固化脱模；(3)去残胶并刻蚀进行多孔纳米压印模板图形转移；(4)除去压印胶，在衬底上获得均匀的纳米结构；(5)通过磁控溅射，在所得纳米结构上制备钼薄膜和金薄膜，增加样品导电性；(6)通过电化学沉积在所得衬底上制备纳米金颗粒。本发明方法制备的SERS基底可大面积制备、重复性好、增强因子高、结构均匀可控、成本低。
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公开(公告)号：CN112786772B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110026188.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法，材料包括：钽酸锂晶片，钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层，钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括：在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层，在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层；在Al层表面制备一层高分子粘附层；将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方；采用高纯金粒为原料，通过惰性气体氛围热蒸镀的方式，在高分子粘附层的上表面制备金黑层。采用本发明提升宽谱吸收率、提升衬底粘附性以及实现图形化大面积制备，该方法制备工艺简单，产品可靠性好，适合产业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112834479B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号：CN113125405A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911406023.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米锥针结构的SERS基底及制备方法，属于光谱分析领域。包括基材，基材表面具有周期性排列的纳米锥针结构，纳米锥针结构包括由第一材料构成的第一层，由第二材料构成的第二层，基材及纳米锥针结构表面包覆由第三材料构成的第三层，第三层上沉积的金属纳米颗粒，基材由第一材料构成。在硅片上生成SiO2层，采用自组装方式将聚苯乙烯胶体球附着在SiO2层上，通过退火或反应离子刻蚀对聚苯乙烯胶体球进行尺寸调控；通过金属辅助化学刻蚀或干法刻蚀进行刻蚀；通过化学腐蚀获得纳米锥针结构；在硅片上沉积金，通过电化学法沉积金纳米颗粒。此基底灵敏度高、重复性好、成本低、适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN113008823A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911335391.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种全集成式红外气体传感器，包括上层气室基片、下层气室基片和集成电路层；上层气室基片具有表面镀有反射薄膜的多边形凹槽以及开设在该凹槽内的多个贯穿基片的气孔；下层气室基片具有表面镀有反射薄膜的回形凹槽、与该凹槽连通的入光孔和分布于凹槽四周的多个出光孔、设置在凹槽中心位置的分光结构；上层气室基片与下层气室基片具有凹槽的一面相互键合或粘接，构成微型气室；集成电路层与下层气室基片结合，包括集成电路衬底以及设置在衬底上的一个对应于入光孔的红外光源、多个对应于出光孔的红外探测器敏感元和信号处理电路；红外探测器敏感元与出光孔之间设有滤光片。本发明体积小、测量精度高、集成度高、可同时测试多种气体。
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公开(公告)号：CN112553575A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011412059.3
申请日：2020-12-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层复合二氧化氮气敏薄膜及其制备方法，其中薄膜包括：带有氧化层的硅基片，以及自下而上依次沉积在硅基片表面的氧化锡层、三氧化钨层、贵金属层。其制备方法是采用直流掠射角磁控溅射技术，分别以锡、钨及贵金属为靶材，依次在硅基片表面沉积氧化锡、三氧化钨、贵金属薄膜，之后将试样置于马弗炉中进行热处理。本发明制备的多层复合气敏薄膜对二氧化氮灵敏度高，能在150℃的较低温度下检测0.1ppm的二氧化氮气体，有利于实现MEMS传感器的低功耗，也具备较低的基线电阻，适用于针对MEMS器件的检测电路。同时本发明采用的制备方法便于控制气敏材料的均匀性，与MEMS工艺兼容性高，适合于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN111039576A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911345826.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C17/36 , C01G23/047 , H01L51/42 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于钙钛矿太阳能电池的二氧化钛纳米花结构介孔层制备方法，所述介孔层为纳米花结构TiO2，通过水热工艺控制，优化纳米花结构TiO2的形貌，通过旋涂工艺控制，优化介孔层的厚度。由于介孔层有利于电子空穴对分离和电子的传输，可提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率。
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