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公开(公告)号：CN112786772B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110026188.7
申请日：2021-01-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种红外增强吸收金属纳米材料及其制备方法，材料包括：钽酸锂晶片，钽酸锂晶片的下表面自上而下依次设有Ti/Cr层和Au层，钽酸锂晶片的上表面自下而上依次设有Ti/Cr层以及Al层和金黑层。方法包括：在钽酸锂晶片的下表面自上而下依次制备Ti/Cr层和Au层，在钽酸锂晶片的上表面自下而上依次制备Ti/Cr层以及Al层；在Al层表面制备一层高分子粘附层；将不锈钢掩模板置于钽酸锂晶片的上方；采用高纯金粒为原料，通过惰性气体氛围热蒸镀的方式，在高分子粘附层的上表面制备金黑层。采用本发明提升宽谱吸收率、提升衬底粘附性以及实现图形化大面积制备，该方法制备工艺简单，产品可靠性好，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN112834479B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号：CN113125405A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911406023.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种基于纳米锥针结构的SERS基底及制备方法，属于光谱分析领域。包括基材，基材表面具有周期性排列的纳米锥针结构，纳米锥针结构包括由第一材料构成的第一层，由第二材料构成的第二层，基材及纳米锥针结构表面包覆由第三材料构成的第三层，第三层上沉积的金属纳米颗粒，基材由第一材料构成。在硅片上生成SiO2层，采用自组装方式将聚苯乙烯胶体球附着在SiO2层上，通过退火或反应离子刻蚀对聚苯乙烯胶体球进行尺寸调控；通过金属辅助化学刻蚀或干法刻蚀进行刻蚀；通过化学腐蚀获得纳米锥针结构；在硅片上沉积金，通过电化学法沉积金纳米颗粒。此基底灵敏度高、重复性好、成本低、适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN113008823A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911335391.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种全集成式红外气体传感器，包括上层气室基片、下层气室基片和集成电路层；上层气室基片具有表面镀有反射薄膜的多边形凹槽以及开设在该凹槽内的多个贯穿基片的气孔；下层气室基片具有表面镀有反射薄膜的回形凹槽、与该凹槽连通的入光孔和分布于凹槽四周的多个出光孔、设置在凹槽中心位置的分光结构；上层气室基片与下层气室基片具有凹槽的一面相互键合或粘接，构成微型气室；集成电路层与下层气室基片结合，包括集成电路衬底以及设置在衬底上的一个对应于入光孔的红外光源、多个对应于出光孔的红外探测器敏感元和信号处理电路；红外探测器敏感元与出光孔之间设有滤光片。本发明体积小、测量精度高、集成度高、可同时测试多种气体。
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公开(公告)号：CN114720448B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210180299.8
申请日：2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法，包括：首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术，对硅片进行无掩膜刻蚀，获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构；然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜；最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应，还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制，通过二者的协同效应，对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064861A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410505461.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功能薄膜材料领域，具体涉及一种集成红外吸收材料的热释电薄膜及其制备方法和应用。本发明所公开的方法，采用磁控溅射方式，在硅基衬底上实现了PZT热释电薄膜的生长。通过合适的工艺设置、组分设计并结合种子层诱导薄膜取向生长的方法获得了具有较高热释电系数，低介电常数、介电损耗的PZT热释电薄膜。本发明提出了一种与PZT热释电薄膜制备工艺兼容的红外吸收材料的制备方法，制备得到了集成红外吸收材料的热释电薄膜，实现了PZT热释电薄膜与红外吸收材料的集成。
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公开(公告)号：CN113008823B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201911335391.1
申请日：2019-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种全集成式红外气体传感器，包括上层气室基片、下层气室基片和集成电路层；上层气室基片具有表面镀有反射薄膜的多边形凹槽以及开设在该凹槽内的多个贯穿基片的气孔；下层气室基片具有表面镀有反射薄膜的回形凹槽、与该凹槽连通的入光孔和分布于凹槽四周的多个出光孔、设置在凹槽中心位置的分光结构；上层气室基片与下层气室基片具有凹槽的一面相互键合或粘接，构成微型气室；集成电路层与下层气室基片结合，包括集成电路衬底以及设置在衬底上的一个对应于入光孔的红外光源、多个对应于出光孔的红外探测器敏感元和信号处理电路；红外探测器敏感元与出光孔之间设有滤光片。本发明体积小、测量精度高、集成度高、可同时测试多种气体。
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公开(公告)号：CN112834479A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号：CN114873554A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210240429.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81C1/00 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35 , C30B29/06 , C30B33/10 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了属于光学器件技术领域的一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法。所述方法通过磁控溅射的方法，在单晶硅或CVD多晶硅衬底上沉积制备银纳米颗粒的点阵或图案，然后将沉积后的衬底置于反应溶液中进行刻蚀，刻蚀方向为银纳米颗粒与衬底的竖直方向，得到图案化纳米硅柱结构，最后去除银纳米颗粒经干燥得到图案化黑硅。本发明方法制备的银辅助湿法刻蚀黑硅实现晶圆级制备，使纳米硅柱直径、间距可控，并具有较好的重复性，同时引入光刻工艺实现图形化。
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公开(公告)号：CN113270538A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011596434.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米红外吸收层的红外探测器敏感元及其制备方法。该红外探测器敏感元由上至下依次包括红外敏感吸收层、上电极层、上电极连接层、热释电薄层、下电极连接层、下电极层，其中，所述红外敏感吸收层为具有纳米团簇结构的纳米红外吸收层。其制备方法包括：采用直流磁控溅射或热蒸发镀膜技术在热释电体薄片上依次沉积上电极连接层、上电极层；然后在热释电晶体薄片反面，依次沉积下电极连接层、下电极层；将热释电晶体薄片粘接到衬底托上，利用旋涂、丝网印刷或喷涂方法将纳米红外吸收材料图形化，制备成红外敏感吸收层；利用机械划片机或激光划片技术，对阵列器件进行划片分割，得到单个红外探测器敏感元成品。
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