-
公开(公告)号：CN102800332A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210225470.9
申请日：2012-05-22
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。
-
公开(公告)号：CN102800332B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210225470.9
申请日：2012-05-22
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法、以及具备这种磁记录介质或利用这种制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置，所述磁记录介质在圆盘状的非磁性基板上至少具备垂直磁性层，其特征在于，上述垂直磁性层具有如下构造，即，通过实施纹理化处理，在形成有具有圆周方向成分的多个沟槽的形成面上形成FePt或CoPt纳米粒子排列体。
-
公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
-
公开(公告)号：CN110517709A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
-
公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102027539B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980117004.5
申请日：2009-05-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/851
Abstract: 本发明提供使用同一个在线式装置进行介质的制造，由此能够减少处理造成的污染、提高生产率的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去所述掩模层的除去工序；在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序。将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
-
公开(公告)号：CN115331704A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210479550.0
申请日：2022-05-05
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质具备基板以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，上述磁记录层进行(001)取向，上述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，上述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))为0.2～0.7。
-
公开(公告)号：CN110660414B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
-
公开(公告)号：CN111798876A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
-
公开(公告)号：CN110634509A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.045 seconds)
