公开(公告)号：CN112750471A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011164742.X

申请日：2020-10-27

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  田中贵金属工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 齐藤伸 ,  福岛隆之

IPC: G11B7/24047 ,  G11B7/253 ,  G11B7/254

Abstract: 本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。

公开(公告)号：CN109036474A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN112750471B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202011164742.X

申请日：2020-10-27

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  田中贵金属工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 齐藤伸 ,  福岛隆之

IPC: G11B7/24047 ,  G11B7/253 ,  G11B7/254

Abstract: 本发明提供一种辅助磁性记录介质以及磁性存储装置。磁性记录介质(100)具有在基板(1)上依序设置的第1底层(3)、第2底层(4)以及磁性层(5)，磁性层(5)包含具有L10型结晶结构的合金。磁性记录介质(1)还具有与磁性层(5)相接的钉扎层(6)。钉扎层(6)具有包含磁性粒子及粒界部的粒状结构。磁性粒子是包含Co的粒子。粒界部包含Y2O3及/或镧系元素的氧化物。

公开(公告)号：CN110648693B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910552861.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄 ,  丹羽和也 ,  桥本笃志

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。

公开(公告)号：CN115206349A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210330080.1

申请日：2022-03-31

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 徐晨 ,  黑川刚平 ,  张磊 ,  福岛隆之 ,  茂智雄 ,  齐藤伸

IPC: G11B5/82 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。

公开(公告)号：CN110648693A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910552861.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄 ,  丹羽和也 ,  桥本笃志

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。

公开(公告)号：CN109036474B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201810521202.9

申请日：2018-05-28

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 日向慎太朗 ,  齐藤伸 ,  福岛隆之 ,  大桥荣久 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/64

Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。

公开(公告)号：CN116259336A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310272532.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 长谷川浩太 ,  福岛隆之

IPC: G11B5/82

Abstract: 本发明提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质及磁存储装置。磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L10结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。

公开(公告)号：CN113053422A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011388537.1

申请日：2020-12-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 山口健洋 ,  福岛隆之 ,  张磊 ,  柴田寿人 ,  徐晨 ,  小柳浩 ,  梅本裕二

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/73 ,  G11B5/706

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。

公开(公告)号：CN109979492B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201811365060.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 室伏克己 ,  石桥圭孝 ,  福岛隆之 ,  丹羽和也 ,  张磊 ,  村上雄二 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  徐晨 ,  神边哲也 ,  茂智雄

IPC: G11B5/716 ,  G11B5/851 ,  G11B5/82 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。