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公开(公告)号：CN108570666B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201810106378.8
申请日：2018-02-02
Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。
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公开(公告)号：CN112102852A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010531584.0
申请日：2020-06-11
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。
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公开(公告)号：CN112102852B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010531584.0
申请日：2020-06-11
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。
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公开(公告)号：CN108570666A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810106378.8
申请日：2018-02-02
Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。
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公开(公告)号：CN1294561C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
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