磁记录介质及磁存储装置

    公开(公告)号:CN103456320B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310198498.2

    申请日:2013-05-24

    CPC classification number: G11B5/66

    Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置,其目的在于提高记录容量。该磁记录介质具有依次堆叠取向控制层、下层记录层、中间层及上层记录层的结构,下层记录层具有比上层记录层更高的矫顽力,中间层包括含有磁性材料的饱和磁化强度大于等于50emu/cc的层,上层记录层连同构成中间层的晶体粒子均包括沿厚度方向连续的柱状晶体。

    磁性记录介质及磁性记录装置

    公开(公告)号:CN103514896B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201310215716.9

    申请日:2013-06-03

    Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由取向控制层、下层记录层、中间层、及上层记录层按顺序层叠而成的结构,下层记录层具有比上层记录层高的保磁力,下层记录层包含设置在取向控制层一侧的第1下层记录层、和设置在中间层一侧的第2下层记录层,第1下层记录层具有包含含有Co、Cr、Pt的磁性粒子和覆盖磁性粒子周围的氧化物的粒状结构,第2下层记录层具有包含含有Co、Cr、Pt的磁性粒子的非粒状结构,下层记录层包含与构成取向控制层的结晶粒子一起在厚度方向连续的柱状晶。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。

    磁记录介质及磁存储装置

    公开(公告)号:CN103456320A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310198498.2

    申请日:2013-05-24

    CPC classification number: G11B5/66

    Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置,其目的在于提高记录容量。该磁记录介质具有依次堆叠取向控制层、下层记录层、中间层及上层记录层的结构,下层记录层具有比上层记录层更高的矫顽力,中间层包括含有磁性材料的饱和磁化强度大于等于50emu/cc的层,上层记录层连同构成中间层的晶体粒子均包括沿厚度方向连续的柱状晶体。

    磁性记录介质及磁性记录装置

    公开(公告)号:CN103514896A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310215716.9

    申请日:2013-06-03

    Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由取向控制层、下层记录层、中间层、及上层记录层按顺序层叠而成的结构,下层记录层具有比上层记录层高的保磁力,下层记录层包含设置在取向控制层一侧的第1下层记录层、和设置在中间层一侧的第2下层记录层,第1下层记录层具有包含含有Co、Cr、Pt的磁性粒子和覆盖磁性粒子周围的氧化物的粒状结构,第2下层记录层具有包含含有Co、Cr、Pt的磁性粒子的非粒状结构,下层记录层包含与构成取向控制层的结晶粒子一起在厚度方向连续的柱状晶。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。

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