-
公开(公告)号：CN101486909B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910094093.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 王飞 , 杨斌 , 马文会 , 刘大春 , 戴永年 , 谢克强 , 伍继君 , 刘永成 , 周晓奎 , 汪镜福 , 徐宝强 , 郁青春 , 李永梅 , 易惠华 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒
IPC: C09K11/84
Abstract: 本发明涉及一种绿色荧光粉及其制备方法，该绿色荧光粉化学特征表达式为Gd(1-x-y)2O2S:Tbx，Dyy其中基质为Gd2O2S，激活剂为Tb3+和Dy3+。加入硫磺、掺杂剂和助熔剂，用真空烧结的方法制备荧光粉。在无还原性气氛的条件下，用真空低温烧结的方法直接合成，烧结温度为500～1000℃，烧结时间1.5～4.5小时。在较低的温度且较短的保温时间下可制得性能良好的荧光粉，所制备粉体粒度较小，而且显示更优的发光性能。该荧光粉在紫外线、X射线激发下都可以发出绿色荧光，激发波长为254nm时，主发射波长为545nm；所制得粉体粒度可达几十纳米，并同时发射绿色荧光，发光效率高，性能稳定。
-
公开(公告)号：CN101486909A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910094093.8
申请日：2009-02-16
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 王飞 , 杨斌 , 马文会 , 刘大春 , 戴永年 , 谢克强 , 伍继君 , 刘永成 , 周晓奎 , 汪镜福 , 徐宝强 , 郁青春 , 李永梅 , 易惠华 , 秦博 , 曲涛 , 邓勇 , 熊恒
IPC: C09K11/84
Abstract: 本发明涉及一种绿色荧光粉及其制备方法，该绿色荧光粉化学特征表达式为Gd(1－x－y)2O2S:Tbx，Dyy其中基质为Gd2O2S，激活剂为Tb3+和Dy3+。加入硫磺、掺杂剂和助熔剂，用真空烧结的方法制备荧光粉。在无还原性气氛的条件下，用真空低温烧结的方法直接合成，烧结温度为500～1000℃，烧结时间1.5～4.5小时。在较低的温度且较短的保温时间下可制得性能良好的荧光粉，所制备粉体粒度较小，而且显示更优的发光性能。该荧光粉在紫外线、X射线激发下都可以发出绿色荧光，激发波长为254nm时，主发射波长为545nm；所制得粉体粒度可达几十纳米，并同时发射绿色荧光，发光效率高，性能稳定。
-
公开(公告)号：CN101475204A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910094006.9
申请日：2009-01-05
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种荧光材料的制备方法，即一种Gd2O2S:Tb荧光粉的合成方法及其所使用的助熔剂组合。采用共沉淀法制备前驱体，再通过高温固相反应来制得Gd2O2S:Tb荧光粉。本发明所使用的助熔剂法可以降低晶体的生长温度，易于进行工业化操作；选取的助熔剂组合可以显著改善荧光粉的晶体形状及粒度分布；所得晶体结构完整，缺陷较少；降低Gd2O2S:Tb荧光粉高温固相反应的合成温度，改善该荧光粉的晶体结构及粒度分布，使得荧光粉的发光亮度及使用性能得到进一步的提高。
-
公开(公告)号：CN101381083B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810233463.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯球形二氧化硅的方法，采用生物质燃烧灰、粉煤灰、二氧化硅矿为原料，木炭、石油焦或煤为碳质还原剂，在真空炉内，进行碳热还原反应，生成一氧化硅气体，冷却后发生歧化反应生成球形纳米二氧化硅和球形纳米硅，经过氧化处理，生成高纯球形二氧化硅，其纯度大于99.99％，成球率达到90％以上，粒度分布均匀，粒径为50-200纳米之间，以满足电子、电器、化工产品的功能填料的需要。
-
公开(公告)号：CN101613815A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910094744.3
申请日：2009-07-21
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 一种铝硅合金的制备方法，用铝矾土和石英为原料，用煤炭为还原剂，经磨细至粒度为0.1－1mm备料，铝矾土∶石英∶煤炭的重量比＝1∶0.2－0.5∶0.3－0.6配料压块、感应炉中温度1700－2200℃熔炼，降温，冷却后得到铝硅合金。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101372334A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810233462.2
申请日：2008-10-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/025 , C01B33/037
Abstract: 一种制备高纯硅的方法，使原料反应生成SiO气体达到蒸馏提纯的目的。原料可以是各种纯度的碳还原剂，二氧化硅可以是二氧化硅矿、废弃光纤或废石英。方法按以下几个步骤进行：(1)原料经破碎球磨后，粒度为0.30mm以下；(2)将原料置于真空炉中加热蒸发除杂；(3)将原料按比例配好，加热使物料全部反应生成SiO气体；(4)SiO气体发生歧化反应，生成B、P含量低的高纯硅和高纯二氧化硅；(5)分离二氧化硅，得到硅；(6)干燥分离后的硅；(7)用真空定向凝固炉进一步除杂，切头处理后即获得高纯硅。制备的硅的纯度为99.9999wt％以上，B、P的含量低于0.5ppm，可以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
-
公开(公告)号：CN101058888A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710065906.1
申请日：2007-05-24
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25B1/00
CPC classification number: Y02P20/134
Abstract: 由光纤预制棒废料制备太阳能级硅的方法。本发明涉及的是一种用废光纤预制棒直接利用电化学的方法电解还原生成高纯度的硅，然后联合真空精炼处理工序进而制备太阳能级硅方法。本方法是，①把碱金属氯化物、碱土金属氯化物熔融盐的任一种，或其复合盐置于电解槽内，加热至300℃～1000℃，呈熔融态电解质；②在光纤废料表面缠绕钼丝，与直流恒压电源连接好作为工作电极，石墨棒为对电极；③把制作好了的电极插入熔融盐内，电解槽抽成真空或在惰性气体的保护下，通入0.4V～2V(以Ca2+/Ca为基准)直流电，进行氧化还原反应，在工作电极得到高纯度的硅；④再联合真空精炼工序制备出太阳能级硅。本方法具有工艺简单，产品纯度高，能耗小，合理利用废弃资源，成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN101343034B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810058837.6
申请日：2008-08-22
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备硅基金属纳米管的方法，特别是在硅基底上生长可控制性的金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管的一种方法。以半导体硅片为原料，经电化学腐蚀和金属沉积，制备金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管。该方法采用无掩模无电极，且制备出的金属纳米管更均匀、管径可控制，其发光性能强，并且稳定性高，在微电子领域、光电器件的应用等有更大的发展空间。
-
公开(公告)号：CN101397609A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810058928.X
申请日：2008-09-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种菱镁矿真空碳热还原制备金属镁的方法，采用真空冶金的方法，以煤为还原剂或添加氟化钙为催化剂，控制炉内压力20～700Pa、升温至500～700℃，保温20～50min，使物料完成热分解及焦结过程；再升温至1300～1500℃的条件下还原熔炼40～60min，得到块状金属镁。在不同条件下，同一真空炉内完成原料分解焦结、碳热还原，流程简单；原料价格低廉、易得；金属镁块结晶良好；整个反应过程在真空中进行，减少了对环境的污染。
-
公开(公告)号：CN101386409A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810233449.7
申请日：2008-10-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种制备碳化硅纳米线的方法，以硅矿、石英、废光纤、废石英和生物质灰废料等含SiO2的废料为原料，以碳、竹炭、煤、废活性炭、焦煤和褐煤等为还原剂，两者按摩尔比1∶0.5～6进行配比混合，经真空碳热还原，控制真空度10－2～10－4Pa，温度700℃～2000℃，还原反应时间10min～2h，反应后自然冷却至室温，再经700～900℃下灼烧及洗涤、过滤、干燥，制备得直径为30－120nm，长度在微米级SiC纳米线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.023 seconds)
