公开(公告)号：CN101343034A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810058837.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 马文会 ,  王华 ,  杨斌 ,  徐宝强 ,  刘大春 ,  戴永年 ,  马婷婷 ,  魏奎先 ,  伍继君 ,  熊恒 ,  梅向阳 ,  秦博 ,  杨亚娣 ,  汪镜福

IPC: B82B3/00 ,  C25D5/00

Abstract: 本发明涉及一种制备硅基金属纳米管的方法，特别是在硅基底上生长可控制性的金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管的一种方法。以半导体硅片为原料，经电化学腐蚀和金属沉积，制备金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管。该方法采用无掩模无电极，且制备出的金属纳米管更均匀、管径可控制，其发光性能强，并且稳定性高，在微电子领域、光电器件的应用等有更大的发展空间。

公开(公告)号：CN101343034B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200810058837.6

申请日：2008-08-22

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 马文会 ,  王华 ,  杨斌 ,  徐宝强 ,  刘大春 ,  戴永年 ,  马婷婷 ,  魏奎先 ,  伍继君 ,  熊恒 ,  梅向阳 ,  秦博 ,  杨亚娣 ,  汪镜福

IPC: B82B3/00 ,  C25D5/00

Abstract: 本发明涉及一种制备硅基金属纳米管的方法，特别是在硅基底上生长可控制性的金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管的一种方法。以半导体硅片为原料，经电化学腐蚀和金属沉积，制备金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管。该方法采用无掩模无电极，且制备出的金属纳米管更均匀、管径可控制，其发光性能强，并且稳定性高，在微电子领域、光电器件的应用等有更大的发展空间。