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公开(公告)号:CN101386409A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810233449.7
申请日:2008-10-16
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种制备碳化硅纳米线的方法,以硅矿、石英、废光纤、废石英和生物质灰废料等含SiO2的废料为原料,以碳、竹炭、煤、废活性炭、焦煤和褐煤等为还原剂,两者按摩尔比1∶0.5~6进行配比混合,经真空碳热还原,控制真空度10-2~10-4Pa,温度700℃~2000℃,还原反应时间10min~2h,反应后自然冷却至室温,再经700~900℃下灼烧及洗涤、过滤、干燥,制备得直径为30-120nm,长度在微米级SiC纳米线。