公开(公告)号：CN117385457A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311420048.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 吕国强 ,  康家铭 ,  李太 ,  赵亮 ,  黄振玲 ,  周翔 ,  马文会 ,  李绍元 ,  任永生 ,  王懿文

IPC: C30B27/02 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。

公开(公告)号：CN117385457B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311420048.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 吕国强 ,  康家铭 ,  李太 ,  赵亮 ,  黄振玲 ,  周翔 ,  马文会 ,  李绍元 ,  任永生 ,  王懿文

IPC: C30B27/02 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。