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公开(公告)号：CN103455429B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210579100.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/1009 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明公开了一种对存储器进行群组式耗损平均的方法及设备。该群组式耗损平均方法用于包括多个页面的存储器，包括依据多个使用次数指派使用中的页面给多个使用中的群组；该多个使用中的群组包括最低使用次数范围的低度使用中的群组，以及最高使用次数范围的高度使用中的群组；此方法包括依据多个使用次数，指派多个空页面给多个空群组；该多个空群组包括最低使用次数范围的低空群组，以及最高使用次数范围的高空群组；此方法维持多个使用中的页面的多个使用次数；对于一目前使用中的页面的一触发事件上，该方法决定一目前使用中的页面的使用次数是否超过一热交换阈值，如果是，则将目前使用中的页面中的数据移动至低空群组中的一最前页面。
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公开(公告)号：CN104102456B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310567981.3
申请日：2013-11-14
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置机器操作方法，针对一阵列的存储单元的阵列，包括在此阵列中的存储单元的可擦除区块，提供一种区块擦除操作的方法。此方法包括维持此阵列的可擦除区块的多个子区块的状态数据。状态数据表示子区块目前是否可存取的以及子区块是否失效。此方法包括，回应于一项擦除一特定可擦除区块的一选定子区块的请求，如果特定可擦除区块的其他子区块是失效的，则发布一擦除命令以擦除特定区块，否则更新状态数据以表示选定子区块是失效的。
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公开(公告)号：CN106469020B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201510511518.6
申请日：2015-08-19
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种高速缓存元件(buffer cache device)，可通过至少一个应用程序(application)或取至少一数据。其中，高速缓存元件包括：第一阶高速缓存、第二阶高速缓存以及控制器。第一阶高速缓存是用来接收并储存此一数据。第二阶高速缓存具有与第一阶高速缓存不同的存储单元结构。控制器用来将储存于第一阶高速缓存中的数据写入第二阶高速缓存。
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公开(公告)号：CN104103309B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410145612.X
申请日：2014-04-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体，是说明支持非易失性存储器的减少编程干扰的技术。一种三维/二维NAND阵列包括多个分页，其分为多个分页组。允许存取在三维NAND阵列的一擦除区块中的多个分页组的一第一分页组之内的存储单元，但使存取在三维/二维NAND阵列的擦除区块中的多个分页组的一第二分页组之内的存储单元的存取最少化。相同分页组中的分页在三维/二维NAND阵列中彼此不相邻。
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公开(公告)号：CN103914398A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310471821.9
申请日：2013-10-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/109 , G06F2212/1032 , G06F2212/7204 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明公开了一种用以管理具有实体地址空间的存储器使用率的方法及装置，该方法包括将数据对象的逻辑地址与实体地址空间内的位置进行对应，以及定义一个活动窗口为实体地址空间内的一个多个地址区段；该方法包含允许数据对象的写入，该数据对象的逻辑地址对应到活动窗口内多个地址区段内的位置；该方法也包含在侦测到要写入数据对象的逻辑地址对应到活动窗口以外的位置时，会更新其对应关系使逻辑地址能对应到活动窗口中所选定的位置，然后允许对所选定的位置做写入的动作；该方法也包含维护在活动窗口中多个地址区段的存取数据标示的使用率以及配合存取数据增加或移除活动窗口中的地址区段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101923516B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010180645.X
申请日：2010-05-14
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207
Abstract: 本发明公开了一种以区块为基础快闪存储装置及其操作方法，所描述的以区块为基础快闪存储装置的数据管理技术可以避免在每次更新储存于此快闪存储装置中的数据时就必须进行区块擦除操作。其结果是，可以在需要一区段擦除操作之前进行较大数目的写入操作。此外，此以区块为基础的快闪存储装置，可以同时仿真如同电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)所提供的一字节接着一字节的方式进行数据读写。
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公开(公告)号：CN103914398B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310471821.9
申请日：2013-10-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用以管理具有实体地址空间的存储器使用率的方法及装置，该方法包括将数据对象的逻辑地址与实体地址空间内的位置进行对应，以及定义一个活动窗口为实体地址空间内的一个多个地址区段；该方法包含允许数据对象的写入，该数据对象的逻辑地址对应到活动窗口内多个地址区段内的位置；该方法也包含在侦测到要写入数据对象的逻辑地址对应到活动窗口以外的位置时，会更新其对应关系使逻辑地址能对应到活动窗口中所选定的位置，然后允许对所选定的位置做写入的动作；该方法也包含维护在活动窗口中多个地址区段的存取数据标示的使用率以及配合存取数据增加或移除活动窗口中的地址区段。
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公开(公告)号：CN104102456A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310567981.3
申请日：2013-11-14
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种存储器装置机器操作方法，针对一阵列的存储单元的阵列，包括在此阵列中的存储单元的可擦除区块，提供一种区块擦除操作的方法。此方法包括维持此阵列的可擦除区块的多个子区块的状态数据。状态数据表示子区块目前是否可存取的以及子区块是否失效。此方法包括，回应于一项擦除一特定可擦除区块的一选定子区块的请求，如果特定可擦除区块的其他子区块是失效的，则发布一擦除命令以擦除特定区块，否则更新状态数据以表示选定子区块是失效的。
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公开(公告)号：CN106469020A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510511518.6
申请日：2015-08-19
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种高速缓存元件(buffercache device)，可通过至少一个应用程序(application)或取至少一数据。其中，高速缓存元件包括：第一阶高速缓存、第二阶高速缓存以及控制器。第一阶高速缓存是用来接收并储存此一数据。第二阶高速缓存具有与第一阶高速缓存不同的存储单元结构。控制器用来将储存于第一阶高速缓存中的数据写入第二阶高速缓存。
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公开(公告)号：CN103378073B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210106115.X
申请日：2012-04-12
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括对组的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括相互平行设置的N条第一导线、M条第二导线于第一导线上方、N条第三导线垂直于第二导线上方并与第一导线平行、N个第一通孔分别连接第一导线、M组第二通孔分别连接第二导线、和N组第三通孔分别连接第三导线。其中，第二导线和第一导线形成一重叠区域；第三导线和N组第三通孔都至少分成两部份，分别位于重叠区域中一对角方向的第一区域和第三区域；M组第二通孔亦分成两部份，分别位于另一对角方向的第二区域和第四区域。
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