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公开(公告)号：CN103367127B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210104325.5
申请日：2012-04-11
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一叠层结构及一掺杂层；叠层结构形成于衬底上，其中叠层结构包括多条导电条纹及多条绝缘条纹，该多条导电条纹之一位于相邻二绝缘条纹之间，叠层结构具有一第一侧壁，第一侧壁的长边沿一通道方向延伸；掺杂层形成于第一侧壁中，掺杂层是由一离子注入作用于第一侧壁所形成，其中离子注入的一注入方向与第一侧壁夹一锐角。
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公开(公告)号：CN101752002B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200910150904.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: G11C17/16 , H01L27/101 , H01L27/1021
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN102768995A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110119512.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/768 , H01L25/065 , G11C11/34
Abstract: 本发明公开了一种集成电路存储器装置及其制造方法，适用于低成本的工艺，该装置包括一存储器电路以及一外围电路。装置的存储器电路以及外围电路是实现于叠层结构的不同层。存储器电路层以及外围电路层包括互补的互连表面，通过存储器电路以及外围电路彼此互补的互连表面的匹配，可以建立电性互连。存储器电路层以及外围电路层可以在不同的生产线上，使用不同的工艺方式，分别地形成于不同的衬底上。如此的制造方式，使得存储器电路层以及外围电路层得以分别使用独立的工艺设备技术来制造，一种工艺技术用于存储器阵列的制造，另一种工艺技术则用于外围电路的制造。这些独立的电路可接着被叠层并接合在一起。
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公开(公告)号：CN101752002A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910150904.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: G11C17/16 , H01L27/101 , H01L27/1021
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101083298B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710104548.0
申请日：2007-05-25
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/14 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 一种存储器件，有一侧壁绝缘装置，其具有与第一侧壁隔离层厚度相同的侧壁绝缘装置长度；形成自第二侧壁隔离层的第一电极，其具有与第二侧壁隔离层厚度相同的第一电极长度，以及形成自该第二侧壁隔离层的第二电极，其具有与该第二侧壁隔离层厚度相同的第二电极长度，被形成于该侧壁绝缘装置的侧壁上；存储器材料的导桥，其具有导桥宽度，自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面，横跨该侧壁绝缘装置的上表面，其中该导桥包含存储器材料。
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公开(公告)号：CN101226951B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710154378.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/24 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C16/0475 , G11C2213/31 , G11C2213/51
Abstract: 一种存储器，其包括第一方向上的多条字符线；第二方向上的多条位线，每条位线耦接到至少一条字符线；以及多个存储组件，每个存储组件耦接到一条字符线及一条位线。每个存储组件包括顶电极，连接到对应的字符线；底电极，连接到对应的位线；电阻层，在底电极上；以及至少两个独立的衬垫，每个衬垫的两端具有电阻材料，且每个衬垫耦接于顶电极与电阻层之间。
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公开(公告)号：CN1937078B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610121291.5
申请日：2006-08-24
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: G11C16/04 , G11C16/10 , G11C11/56 , H01L29/792
CPC classification number: G11C16/0475 , G11C11/5671 , G11C16/12 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明公开了以不同载流子移动编程存储器阵列。在一个实施例里，存储器单元根据数据使用的模式，例如代码闪速存储及数据闪速存储，以特定载流子移动进行编程。在另一实施例里，存储器单元根据多级单元结构中欲被编程特定门限电压状态，以特定载流子移动编程。
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公开(公告)号：CN101621034A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910009694.4
申请日：2009-02-04
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L21/8247 , H01L21/263 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L27/101 , H01L27/112
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的数据元件及其制造方法。该方法包括下列步骤：首先，提供第一导体及第二导体。接着，提供导电层；然后，通过等离子体氧化工艺将部分的导电层形成为数据储存层；数据储存层是位于第一导体及第二导体之间。
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公开(公告)号：CN100563025C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610129061.3
申请日：2006-09-06
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/0466 , H01L29/513
Abstract: 一种位于半导体衬底上的非易失性存储器设备，包括位于衬底上的底氧化层，位于底氧化层上的氮化硅中间层，及位于中间层上的顶氧化层。底氧化层的氢浓度最高达5E19cm-3及界面陷阱密度最高达5E11cm-2eV-1。三层结构可以是存储器元件的电荷陷获结构，且存储器元件还包括在该结构上形成栅极，及在衬底内形成源极及漏极区。
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