公开(公告)号：CN104102456B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310567981.3

申请日：2013-11-14

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  卢星辰 ,  李祥邦 ,  王成渊 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/06 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置机器操作方法，针对一阵列的存储单元的阵列，包括在此阵列中的存储单元的可擦除区块，提供一种区块擦除操作的方法。此方法包括维持此阵列的可擦除区块的多个子区块的状态数据。状态数据表示子区块目前是否可存取的以及子区块是否失效。此方法包括，回应于一项擦除一特定可擦除区块的一选定子区块的请求，如果特定可擦除区块的其他子区块是失效的，则发布一擦除命令以擦除特定区块，否则更新状态数据以表示选定子区块是失效的。

公开(公告)号：CN104102456A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310567981.3

申请日：2013-11-14

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  卢星辰 ,  李祥邦 ,  王成渊 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/06 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置机器操作方法，针对一阵列的存储单元的阵列，包括在此阵列中的存储单元的可擦除区块，提供一种区块擦除操作的方法。此方法包括维持此阵列的可擦除区块的多个子区块的状态数据。状态数据表示子区块目前是否可存取的以及子区块是否失效。此方法包括，回应于一项擦除一特定可擦除区块的一选定子区块的请求，如果特定可擦除区块的其他子区块是失效的，则发布一擦除命令以擦除特定区块，否则更新状态数据以表示选定子区块是失效的。

公开(公告)号：CN104103309B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410145612.X

申请日：2014-04-11

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  卢星辰 ,  李祥邦 ,  王成渊 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了一种NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体，是说明支持非易失性存储器的减少编程干扰的技术。一种三维/二维NAND阵列包括多个分页，其分为多个分页组。允许存取在三维NAND阵列的一擦除区块中的多个分页组的一第一分页组之内的存储单元，但使存取在三维/二维NAND阵列的擦除区块中的多个分页组的一第二分页组之内的存储单元的存取最少化。相同分页组中的分页在三维/二维NAND阵列中彼此不相邻。

公开(公告)号：CN105224480B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410565843.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 卢星辰 ,  方柏超

IPC: G06F13/16

Abstract: 本发明公开了一种用于响应于读取要求的存取存储器装置的方法和装置，包括响应于一第一要求，利用该存储器装置的一指令协议构成一第一读取序列。该第一读取序列包括一脚本和一起始实体地址。在接收到一第二要求时，该方法根据该存储器装置的该指令协议判定一第二读取序列的一起始实体地址。若该第二读取序列的该起始实体地址是接续于该第一读取序列的一结尾实体地址，则该方法利用不具一脚本的指令协议构成第二读取序列，否则利用具一读取指令的指令协议构成第二读取序列。

公开(公告)号：CN105224480A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410565843.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 卢星辰 ,  方柏超

IPC: G06F13/16

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F13/1668 ,  G06F2212/1016 ,  G11C8/04 ,  G11C8/18

Abstract: 本发明公开了一种用于响应于读取要求的存取存储器装置的方法和装置，包括响应于一第一要求，利用该存储器装置的一指令协议构成一第一读取序列。该第一读取序列包括一脚本和一起始实体地址。在接收到一第二要求时，该方法根据该存储器装置的该指令协议判定一第二读取序列的一起始实体地址。若该第二读取序列的该起始实体地址是接续于该第一读取序列的一结尾实体地址，则该方法利用不具一脚本的指令协议构成第二读取序列，否则利用具一读取指令的指令协议构成第二读取序列。

公开(公告)号：CN104103309A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410145612.X

申请日：2014-04-11

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  卢星辰 ,  李祥邦 ,  王成渊 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了一种NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体，是说明支持非易失性存储器的减少编程干扰的技术。一种三维/二维NAND阵列包括多个分页，其分为多个分页组。允许存取在三维NAND阵列的一擦除区块中的多个分页组的一第一分页组之内的存储单元，但使存取在三维/二维NAND阵列的擦除区块中的多个分页组的一第二分页组之内的存储单元的存取最少化。相同分页组中的分页在三维/二维NAND阵列中彼此不相邻。