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公开(公告)号:CN1165161A
公开(公告)日:1997-11-19
申请号:CN96122542.4
申请日:1996-09-20
Applicant: 旭硝子株式会社 , 日立化成工业株式会社
IPC: C08L27/12 , C09D127/12 , H01B3/00
CPC classification number: H01B3/445 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 一种低介电的树脂组合物,它包含下述组分(a)和(b),由该组合物制成的涂层膜的介电常数至多为3:(a)在其分子中含官能团且溶于溶剂的树脂;和(b)结构式为R1mR2nSi(OR3)4-m-n的烷氧基硅烷的部分水解缩合物,其中可相同或不同的各R1和R2为非水解基团,R3为烷基,m和n为满足0≤m+n≤3的0-3的整数。
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公开(公告)号:CN1122078C
公开(公告)日:2003-09-24
申请号:CN96122542.4
申请日:1996-09-20
Applicant: 旭硝子株式会社 , 日立化成工业株式会社
IPC: C08L27/12 , H01B3/44 , C09D127/12
CPC classification number: H01B3/445 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 一种低介电的树脂组合物,它包含下述组分(a)和(b),由该组合物制成的涂层膜的介电常数至多为3:(a)在其分子中含官能团且溶于溶剂的树脂;和(b)结构式为Rm1Rn2Si(OR3)4-m-n的烷氧基硅烷的部分水解缩合物,其中可相同或不同的各R1和R2为非水解基团,R3为烷基,m和n为满足0≤m+n≤3的0-3的整数。
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公开(公告)号:CN102473622A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080032887.2
申请日:2010-09-14
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的研磨剂含有:4价金属氢氧化物粒子,阳离子化聚乙烯醇,选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类,以及水。本发明的基板研磨方法包括如下的工序:在将形成有氧化硅膜(被研磨膜)1的硅基板2的该氧化硅膜1按压于研磨定盘的研磨垫上的状态下,一边将本发明的研磨剂供给至氧化硅膜1与研磨垫之间,一边使基板2与研磨定盘相对移动而对氧化硅膜1进行研磨。
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公开(公告)号:CN101622695A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200880006201.5
申请日:2008-02-05
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种硅膜用CMP研磨液,其能够获得用一种研磨液实施CMP时所需的硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的研磨速度和研磨速度比,其中该CMP用于由可以降低半导体元件制造成本、提高产品率的自对准方式(self-alignment)来形成接触插塞(contact plug),该硅膜用CMP研磨液含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水,pH为6.0~8.0。
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公开(公告)号:CN102666014A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201180005050.3
申请日:2011-01-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/04 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及的悬浮液,含有磨粒和水,磨粒含有4价氢氧化铈粒子,且在将该磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,对于波长500nm的光有50%/cm以上的光透过率。本发明涉及的研磨液,含有磨粒、添加剂和水,磨粒含有4价氢氧化铈粒子,且在将该磨粒的含量调节至1.0质量%的水分散液中,对于波长500nm的光有50%/cm以上的光透过率。
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公开(公告)号:CN102627914A
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201210074729.4
申请日:2010-09-14
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B1/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂、基板研磨法。一种研磨剂用于形成有被研磨膜的基板的研磨的应用,所述研磨剂含有:4价金属氢氧化物粒子,阳离子化聚乙烯醇,选自由氨基糖、该氨基糖的衍生物、具有氨基糖的多糖类以及该多糖类的衍生物所组成的组的至少一种糖类,以及水。
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