硅膜用CMP研磨液
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101622695A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200880006201.5

    申请日:2008-02-05

    Abstract: 本发明提供一种硅膜用CMP研磨液,其能够获得用一种研磨液实施CMP时所需的硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的研磨速度和研磨速度比,其中该CMP用于由可以降低半导体元件制造成本、提高产品率的自对准方式(self-alignment)来形成接触插塞(contact plug),该硅膜用CMP研磨液含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水,pH为6.0~8.0。

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