公开(公告)号：CN102157678B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110023507.5

申请日：2011-01-17

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H03H9/02031

Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。

公开(公告)号：CN102754232B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201180009228.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。

公开(公告)号：CN104851972A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410498351.X

申请日：2014-09-25

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/277

CPC classification number: H03H9/171 ,  H03H9/02015 ,  H03H2009/155 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×1017atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN104425703A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410374523.2

申请日：2014-07-31

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18

CPC classification number: H01L41/297 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明提供压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备。一种制造方法，能够对使用了不包含铅的铌酸碱金属系压电体的薄膜元件在不使其压电体特性发生劣化的情况下进行微细加工。本发明的压电体薄膜元件的制造方法的特征在于，具有如下工序：在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序、在前述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序、在前述压电体薄膜上按照成为所希望图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序、以及对前述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，前述蚀刻掩模中，至少与前述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。

公开(公告)号：CN104078560A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410048610.9

申请日：2014-02-11

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板，其使用非铅系压电体，可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于，是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3，0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z≤1、x＋y＋z=1)形成，前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。

公开(公告)号：CN102959751B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201180029026.3

申请日：2011-03-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/09 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/094 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316

Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。

公开(公告)号：CN103579491A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310340890.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/35

CPC classification number: H01L41/18 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  C30B29/30 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/22 ,  H01L41/253 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0

公开(公告)号：CN102804436B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201180013990.7

申请日：2011-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/39

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。

公开(公告)号：CN102097582B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201010556495.8

申请日：2010-11-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。

公开(公告)号：CN104064670A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410101620.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  野口将希 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/113

CPC classification number: H01L41/0805 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供可以降低压电薄膜层的相对介电常数的压电薄膜元件、压电传感器和振动发电机。压电薄膜元件（1）具备：基板、形成于基板上的下部电极层（20）、形成于下部电极层（20）上的组成式为（K1-xNax）NbO3（0.4≤x≤0.7）的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜层（30）、以及形成于压电薄膜层（30）上的上部电极层（40），压电薄膜层（30）在将极化-电场的磁滞回线与表示电场的x轴的交点设为Ec-和Ec+时，（Ec-+Ec+）/2的值为10.8kV/cm以上，并且，在将极化-电场的磁滞回线与表示极化的y轴的交点设为Pr-和Pr+时，（Pr-+Pr+）/2的值为-2.4μC/cm2以下。