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公开(公告)号：CN102959751B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201180029026.3
申请日：2011-03-30
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01L41/09 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。
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公开(公告)号：CN103579491A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310340890.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/35
CPC classification number: H01L41/18 , C01G33/006 , C01P2002/30 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C30B23/025 , C30B29/22 , C30B29/30 , H01G5/18 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/22 , H01L41/253 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及压电体元件、压电体设备及其制造方法。本发明稳定地提供高精度地控制压电体层的局部结构(原子的结合状态)并且压电特性优异的压电体元件、压电体设备。一种压电体元件，其为在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0
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公开(公告)号：CN102804436B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180013990.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/025 , C23C14/088 , C23C14/35 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097582B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201010556495.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/08 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/656 , C04B2235/762 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。
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公开(公告)号：CN102157678B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110023507.5
申请日：2011-01-17
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H03H9/02031
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜元件以及压电薄膜设备，就所述压电薄膜元件而言，漏电流少且因驱动而导致的压电常数的恶化少。一种压电薄膜元件，其为在基板(1)上具有下部电极(2)、以组成式(K1-xNax)NbO3表示的碱铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)以及上部电极(4)的压电薄膜元件，就所述压电薄膜元件而言，由(K1-xNax)NbO3表示的所述压电薄膜(3)的组成比x为0.4≤x≤0.7的范围，由X射线衍射测定的(001)面的摇摆曲线的半值宽度为0.5°以上2.5°以下的范围。
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公开(公告)号：CN102754232B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201180009228.1
申请日：2011-02-15
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22
CPC classification number: H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。
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公开(公告)号：CN101950790B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010224767.4
申请日：2010-07-07
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。
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公开(公告)号：CN102823007B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080065779.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/39 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/1873 , C23C14/088 , C30B23/02 , C30B29/30 , H03H9/02015 , H03H9/02094 , H03H9/02574 , H03H9/171
Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。
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