公开(公告)号：CN106796253A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480082603.9

申请日：2014-10-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野口将希 ,  二口尚树 ,  奥山健

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明提供可以实现装置的小型化且能够降低因布线间的感应电动势产生的电磁感应噪音的电流检测装置及电流检测方法。具有检测由流过电流电路(1)的电流所产生的磁场的强度的磁检测元件(3、4、5、6)；基于磁检测元件的输出来检测流过电流电路(1)的电流的大小的检测电路(7)；以及与磁检测元件连接，向着远离电流电路(1)的方向延伸的多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)。磁检测元件(3、4、5、6)配置为，磁感应轴的方向存在于与电流电路(1)的通电方向平行且与多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)的延伸方向也平行的第1平面(20)上，多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)配置在与第1平面垂直的第2平面(30/30')的同一平面上。

公开(公告)号：CN104064670A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410101620.4

申请日：2014-03-18

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  野口将希 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  H01L41/113

CPC classification number: H01L41/0805 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供可以降低压电薄膜层的相对介电常数的压电薄膜元件、压电传感器和振动发电机。压电薄膜元件（1）具备：基板、形成于基板上的下部电极层（20）、形成于下部电极层（20）上的组成式为（K1-xNax）NbO3（0.4≤x≤0.7）的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜层（30）、以及形成于压电薄膜层（30）上的上部电极层（40），压电薄膜层（30）在将极化-电场的磁滞回线与表示电场的x轴的交点设为Ec-和Ec+时，（Ec-+Ec+）/2的值为10.8kV/cm以上，并且，在将极化-电场的磁滞回线与表示极化的y轴的交点设为Pr-和Pr+时，（Pr-+Pr+）/2的值为-2.4μC/cm2以下。

公开(公告)号：CN106796253B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201480082603.9

申请日：2014-10-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 野口将希 ,  二口尚树 ,  奥山健

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明提供可以实现装置的小型化且能够降低因布线间的感应电动势产生的电磁感应噪音的电流检测装置及电流检测方法。具有检测由流过电流电路(1)的电流所产生的磁场的强度的磁检测元件(3、4、5、6)；基于磁检测元件的输出来检测流过电流电路(1)的电流的大小的检测电路(7)；以及与磁检测元件连接，向着远离电流电路(1)的方向延伸的多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)。磁检测元件(3、4、5、6)配置为，磁感应轴的方向存在于与电流电路(1)的通电方向平行且与多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)的延伸方向也平行的第1平面(20)上，多根布线(13a、13b、13c、13d、13e、13f)配置在与第1平面垂直的第2平面(30/30')的同一平面上。

公开(公告)号：CN104851972A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410498351.X

申请日：2014-09-25

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/277

CPC classification number: H03H9/171 ,  H03H9/02015 ,  H03H2009/155 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种压电体薄膜元件的制造方法和由其得到的压电体薄膜元件，该制造方法能够以不使压电体特性劣化来精细加工出使用不含铅的铌酸碱系压电体的薄膜元件。铌酸碱系压电体薄膜元件具有如下特征：具备基板、在上述基板上形成的下部电极膜、在上述下部电极膜上形成的压电体薄膜、在上述压电体薄膜上形成的上部电极膜，该压电体薄膜由铌酸碱系压电体(组成式为(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1)构成，在上述压电体薄膜加工有作为元件的精细图案且包含金属元素，其在所述压电体薄膜的所述上部电极膜侧的浓度比所述下部电极膜侧的浓度高，以上述压电体薄膜的厚度一半的位置为中心，在上述厚度±15％的区域，上述金属元素的平均浓度为5×1017atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN104425703A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410374523.2

申请日：2014-07-31

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18

CPC classification number: H01L41/297 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明提供压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备。一种制造方法，能够对使用了不包含铅的铌酸碱金属系压电体的薄膜元件在不使其压电体特性发生劣化的情况下进行微细加工。本发明的压电体薄膜元件的制造方法的特征在于，具有如下工序：在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序、在前述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序、在前述压电体薄膜上按照成为所希望图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序、以及对前述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，前述蚀刻掩模中，至少与前述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。

公开(公告)号：CN104078560A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410048610.9

申请日：2014-02-11

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  堀切文正 ,  野口将希

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/053

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板，其使用非铅系压电体，可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于，是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板，前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3，0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z≤1、x＋y＋z=1)形成，前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下，前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成，其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。