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发明公开
Cu－Ni－Si合金及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1540013A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410036828.9

申请日：2004-04-19

Applicant: 日矿金属加工株式会社

Inventor： 石川泰靖 , 新见寿宏 , 波多野隆绍

IPC: C22C9/06

Abstract: 提供一种兼具高强度及高导电性的电子材料用Cu－Ni－Si合金，其特征在于，在含有1.0～4.5质量％(以下为％)的Ni、0.25～1.5％的Si、其余是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～6、并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]，([Ni]－4x)2([Si]－x)＝1/8……(式1)。

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