公开(公告)号：CN1397990A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02140706.1

申请日：2002-07-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中别府健一 ,  富盛浩昭 ,  竹胁利至 ,  弘长伸夫 ,  国岛浩之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法，用于在半导体基片上形成布线层，接着通过清洗可以防止布线的洗脱和氧化，以及在制造方法中使用的处理液。在等离子体环境中形成铜布线、在铜布线上的中间层膜和在中间层膜中形成的开口，以露出铜布线表面。IPA喷射在半导体器件上，然后用胺溶剂对半导体器件进行处理，以去除蚀刻残留物。再次用IPA清洗半导体器件，以去除余留的胺，然后用碱性的处理液进行清洁。而后用纯水或者二氧化碳水清洗，并进行干燥。