公开(公告)号：CN113299637A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202010675280.1

申请日：2020-07-14

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  李秋雯 ,  涂宏荣 ,  李长祺 ,  高金利

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含第一管芯、第二管芯和热耗散元件。所述第一管芯具有第一表面。所述第二管芯安置在所述第一表面上。所述热耗散元件安置在所述第一表面上。所述热耗散元件包含第一部分和第二部分，所述第一部分在基本上平行于所述第一表面的第一方向上延伸并且被所述第二管芯部分覆盖，所述第二部分在基本上垂直于所述第一表面的第二方向上延伸以邻近所述第二管芯的边缘。

公开(公告)号：CN113299614A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110191249.5

申请日：2021-02-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  李秋雯 ,  胡逸群 ,  李长祺

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体设备封装包含多个半导体芯片和中介层结构。所述中介层结构具有用于容纳所述多个半导体芯片的多个分层。所述中介层结构包含连接到所述多个半导体芯片的衬垫的至少一个导电通孔。

公开(公告)号：CN108878396B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201810009877.5

申请日：2018-01-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  高金利 ,  王仕宇 ,  李长祺

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 一种半导体封装装置包含第一互连结构、非硅中介层及第一裸片。所述第一互连结构具有第一间距。所述非硅中介层环绕所述第一互连结构。所述非硅中介层包含具有第二间距的第二互连结构。所述第二间距大于所述第一间距。所述第一裸片在所述第一互连结构上方并且电连接到所述第一互连结构。

公开(公告)号：CN107170717A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710123452.2

申请日：2017-03-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  李长祺 ,  高金利 ,  陈道隆 ,  郑大千

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本揭露提供半导体装置封装，包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方，且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。

公开(公告)号：CN116682801A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210166040.8

申请日：2022-02-21

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  康荣瑞 ,  李宝男 ,  孔政渊

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/18 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31

Abstract: 本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：载体；重布线层，设置在载体上；主动元件、电感元件和芯片，均与重布线层电连接，其中，主动元件和电感元件为相互独立的不同元件；半导体封装装置中的电传输路径在经过电感元件后通过重布线层传递至芯片。该半导体封装装置能够避免主动元件和电感元件之间的良率牵绊，有利于提高半导体封装装置的制造良率。

公开(公告)号：CN113611612A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110672893.4

申请日：2021-06-17

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李秋雯 ,  张简千琳 ,  李长祺

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：提供中介层，中介层上设置有复数个电子元件；在中介层的上表面上进行第一次模制，以形成包覆复数个电子元件的第一模制化合物；在中介层的下表面上设置复数个第一焊球；在中介层的下表面上进行第二次模制，以形成与中介层的下表面接触的第二模制化合物。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。

公开(公告)号：CN107170717B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201710123452.2

申请日：2017-03-03

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  李长祺 ,  高金利 ,  陈道隆 ,  郑大千

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本揭露提供半导体装置封装，包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方，且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。

公开(公告)号：CN108878396A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810009877.5

申请日：2018-01-05

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  高金利 ,  王仕宇 ,  李长祺

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 一种半导体封装装置包含第一互连结构、非硅中介层及第一裸片。所述第一互连结构具有第一间距。所述非硅中介层环绕所述第一互连结构。所述非硅中介层包含具有第二间距的第二互连结构。所述第二间距大于所述第一间距。所述第一裸片在所述第一互连结构上方并且电连接到所述第一互连结构。

公开(公告)号：CN107424969A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710256395.5

申请日：2017-04-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  高金利 ,  李长祺 ,  洪志斌

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 根据本发明的一或多个实施例，半导体封装包括重新分布层、导电焊盘、介电层、硅层及导电触点。重新分布层具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。导电焊盘位于重新分布层的第一表面上。介电层位于重新分布层的第一表面上以覆盖导电焊盘的第一部分并暴露导电焊盘的第二部分。硅层位于介电层上。硅层具有凹槽以暴露导电焊盘的第二部分。导电触点放置于硅层上并延伸进入硅层的凹槽内。

公开(公告)号：CN117995810A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311430406.9

申请日：2023-10-31

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 张简千琳 ,  戴渊竣 ,  张简聿心 ,  李秋雯 ,  李长祺

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明提供一种电子装置。所述电子装置包含第一介电层、电子元件、包封物和第二介电层。所述第一介电层具有第一热膨胀系数。所述电子元件安置在所述第一介电层之上。所述包封物包封所述电子元件且具有第二热膨胀系数。所述第二介电层安置在所述包封物之上且具有第三热膨胀系数。所述第二热膨胀系数在所述第一热膨胀系数和所述第三热膨胀系数之间的范围内。