公开(公告)号：CN104051208A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310684726.7

申请日：2013-12-13

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 萨米·K·哈托 ,  滨本成显

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/141

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J27/205

Abstract: 本发明涉及用于离子源的磁场源。提供了一种离子源，包括电离室和两个磁场源。电离室具有贯穿其延伸的纵轴并且包括两个相对的室壁，每个室壁平行于纵轴。两个磁场源各自包括（i）芯和（ii）大致缠绕芯的线圈。每一磁场源与相对的室壁中相应一个的外部表面对准并与其接近，并且取向大致平行于纵轴。磁场源的芯彼此在物理上分开并且电隔离。

公开(公告)号：CN104051208B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201310684726.7

申请日：2013-12-13

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 萨米·K·哈托 ,  滨本成显

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/141

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J27/205

Abstract: 本发明涉及用于离子源的磁场源。提供了一种离子源，包括电离室和两个磁场源。电离室具有贯穿其延伸的纵轴并且包括两个相对的室壁，每个室壁平行于纵轴。两个磁场源各自包括（i）芯和（ii）大致缠绕芯的线圈。每一磁场源与相对的室壁中相应一个的外部表面对准并与其接近，并且取向大致平行于纵轴。磁场源的芯彼此在物理上分开并且电隔离。

公开(公告)号：CN102655073A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110306186.X

申请日：2011-10-11

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 宇根英康 ,  田中浩平 ,  滨本成显 ,  藤田秀树

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供离子束照射方法和离子束照射装置，在用两台离子束供给装置对基板的上半部分和下半部分进行离子照射的串联式离子束照射装置中，即使在一台离子束供给装置停止或在处理中途异常结束的情况下，也可以对基板的整个面注入所希望的剂量。在进行一个往返的离子束照射处理后，控制基板转动机构，使基板转动180度后，再将基板放入离子束照射装置，对没有完成离子束照射处理的范围进行离子束照射，从而对基板的整个面进行离子束照射。